[发明专利]衬底的预处理方法、及金刚石膜的制备方法

权利要求书

1.一种衬底的预处理方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1.清洗衬底，然后干燥；

S2.将步骤S1所得衬底进行等离子体干法刻蚀；

S3.制备金刚石微粉浆料，将金刚石微粉浆料均匀地旋涂在步骤S2刻蚀后的衬底上，得旋涂后的衬底；

S4.低温烘干步骤S3旋涂后的衬底；

S5.将步骤S4低温烘干后的衬底进行二次等离子体干法刻蚀，得预处理后的衬底，备用。

2.如权利要求1所述的衬底的预处理方法，其特征在于，所述衬底选用硅、二氧化硅、钛中的一种。

3.如权利要求1或2所述的衬底的预处理方法，其特征在于，步骤S2中，等离子干法刻蚀后，所得衬底表面粗糙度小于100 nm。

4.如权利要求3所述的衬底的预处理方法，其特征在于，步骤S2中，将步骤S1所得衬底放进等离子设备中进行等离子体干法刻蚀，具体参数为：气氛为氢气、氧气、氩气中的至少一种，温度为400~1300℃，压强为10~40Kpa，时间10~120min。

5.如权利要求1所述的衬底的预处理方法，其特征在于，步骤S3中，旋涂后的衬底表面，金刚石微粉浆料的厚度为1~500um；优选所述旋涂工艺具体参数为：800~20000r/min，旋涂时间10~120s。

6.如权利要求1或5所述的衬底的预处理方法，其特征在于，步骤S3中，所述金刚石微粉浆料中，金刚石微粉的质量分数为10~50%。

7.如权利要求1所述的衬底的预处理方法，其特征在于，步骤S4中，低温烘干工艺为：在40~100℃，保温40~80min进行烘干处理。

8.如权利要求1所述的衬底的预处理方法，其特征在于，步骤S5中，所述二次等离子体干法刻蚀过程为依次对步骤S4低温烘干后的衬底进行氧等离子干法刻蚀、氢等离子干法刻蚀；

优选所述具体步骤为：

S51.氧等离子体干法刻蚀：压强10~16 kPa，温度为200~600℃，刻蚀时间8~60min；

S52.氢等离子体干法刻蚀：压强10~16 kPa，温度为200~900℃，刻蚀时间8~80min。

9.一种金刚石膜的制备方法，其特征在于，使用权利要求1~8任一项所述衬底的预处理方法所得预处理后的衬底沉积金刚石。

10.如权利要求9所述的金刚石膜的制备方法，其特征在于，沉积气氛为氢气和甲烷，所述氢气和甲烷的体积比为100：1.5~5.5，沉积压强为9~21 kPa，沉积温度为800~920℃。