[发明专利]一种利用哈氏合金废料冶炼超低碳超低硅哈氏合金的方法有效
申请号: | 202111059689.1 | 申请日: | 2021-09-10 |
公开(公告)号: | CN113832303B | 公开(公告)日: | 2022-08-12 |
发明(设计)人: | 杨振;袁飞;施勇;沈华;俞苏徽;陶杰华;胡星鑫 | 申请(专利权)人: | 湖州盛特隆金属制品有限公司 |
主分类号: | C22C19/03 | 分类号: | C22C19/03;C22C19/05;C21C7/10;C21C7/00 |
代理公司: | 杭州新源专利事务所(普通合伙) 33234 | 代理人: | 郑双根 |
地址: | 313011 浙江省湖*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 利用 合金 废料 冶炼 超低碳超低硅哈氏 方法 | ||
本发明公开了一种利用哈氏合金废料冶炼超低碳超低硅哈氏合金的方法,包括以下步骤:a、EAF电炉冶炼:按质量份计,将石灰、碳球、哈氏合金废料、硅铁合金和萤石加入到EAF电炉冶炼,得A品;b、EAF电炉出钢:待A品中硅的质量百分比为0.3‑0.7%、碳的质量百分比为1.5‑2.5%后出钢,得B品;c、将B品进行真空脱气处理,使B品中的氢的质量百分比<2ppm,氮的质量百分比<100ppm,得C品;d、将C品加入AOD炉冶炼,冶炼温度1500‑1580℃,出钢,出钢时随钢流加入铝锭20‑80份,得D品;f、D品运行至LF炉进行精炼,得成品。
技术领域
本发明属于哈氏合金冶炼领域,尤其涉及一种利用哈氏合金废料冶炼超低碳超低硅哈氏合金的方法。
背景技术
哈氏合金是镍基合金的一类,主要分为B、C、G三个系列,主要应用在不锈钢或者非金属材料无法使用的强腐蚀性介质场合。
比较典型的哈氏合金如Hasteeloy B-2、Hasteeloy C-276、Hasteeloy G-2,碳硅质量百分比含量已经低,碳的质量百分比为≤0.02%、硅的质量百分比为≤0.1%。而在超低碳超低硅的哈氏合金中,碳的质量百分比甚至要求为≤0.01%,硅的质量百分比甚至要求为≤ 0.08%。这就给哈氏合金的冶炼会带来极大的难度。
由于哈氏合金对氢、氧、氮气体含量要求均极高,常规的冶炼方法只能用真空感应炉冶炼法,对原料的要求极高,一般采用纯镍、纯钼、纯铬等纯净度高的原料加入真空炉进行冶炼,冶炼成本极高。而哈氏合金通常被加工成板卷、棒线,在加工成零部件过程中会产生大量的废料,哈氏合金零部件使用周期结束后也会产生大量的废料,这些废料中含有油污、粉尘、水分等杂质,难以回收重新冶炼成新的哈氏合金。
因此,需要一种新的方法使回收的哈氏合金废料能够重新冶炼成新的哈氏合金,以减低冶炼成本。
发明内容
本发明的目的在于,提供一种利用哈氏合金废料冶炼超低碳超低硅哈氏合金的方法。本发明具有原料成本低和冶炼成本低的优点。
本发明的技术方案:一种利用哈氏合金废料冶炼超低碳超低硅哈氏合金的方法,包括以下步骤:
a、EAF电炉冶炼:按质量份计,将1200-1600份石灰、400-900 份碳球、26000-29000份哈氏合金废料、300-400份硅铁合金和 500-650份萤石加入到EAF电炉冶炼,得A品;所述哈氏合金废料与所要冶炼制得的哈氏合金为相同钢种;
b、EAF电炉出钢:待A品中硅的质量百分比为0.3-0.7%、碳的质量百分比为1.5-2.5%后出钢,出钢温度1600-1680℃,得B品;
c、将B品吊包至VD真空炉进行真空脱气处理,吊包温度 1540-1580℃,真空度<65pa,真空脱气时间20-40min,使B品中的氢的质量百分比<2ppm,氮的质量百分比<100ppm,得C品;
d、将C品加入AOD炉冶炼,出钢温度1500-1580℃,出钢时随钢流加入铝锭20-80份,得D品;
f、D品运行至LF炉进行精炼,先加入镍镁合金20-60份,再依次进行成分调整、温度调整和稀土微合金化后得成品,成分调整至所要冶炼的哈氏合金成品的标准要求范围内、温度调整至 1460-1500℃、添加80-120份稀土铈合金,精炼时间45-95min,得成品。
前述的利用哈氏合金废料冶炼超低碳超低硅哈氏合金的方法中,所述步骤d中,C品在AOD炉中进行预处理,得C1品,
C1品进行脱碳处理,得C2品,
C2品进行预还原,得C3品,
C3品进行脱碳处理,得C4品,
C4品进行还原、脱硫及合金调整,得C5品,
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