[发明专利]一种中子束束流整型靶站装置

权利要求书

1.一种中子束束流整型靶站装置，其特征在于，所述装置包括束流入口、中子慢化层以及设置于所述束流入口末端并伸入所述中子慢化层的一端内的中子靶；在所述中子慢化层依次向外包裹有中子反射层、中子屏蔽层与光子屏蔽层；所述中子慢化层的另一端且与所述中子靶位于同一轴线上设有热中子吸收层；在所述光子屏蔽层上还设有与所述中子靶同轴的准直器，所述中子反射层与所述准直器之间设有光子吸收层；当靶材与从所述束流入口入射的质子束发生核反应产生中子，经所述中子慢化层慢化为超热中子为主的中子束，所述中子束经过所述热中子吸收层和所述光子吸收层降低了中子束中的热中子污染和光子污染后进入所述准直器，经所述准直器准直后从束流出口射出。

2.根据权利要求1所述的中子束束流整型靶站装置，其特征在于，所述中子靶除束流轰击面以外被所述中子慢化层包裹；所述中子靶由金属制成，所述入射质子束能量足以与所述靶材发生核反应产生中子。

3.根据权利要求1所述的中子束束流整型靶站装置，其特征在于，不同的层之间可采用螺纹连接、键、卡勾、花键和销连接、过盈连接、焊、粘或铆连接。

4.根据权利要求1所述的中子束束流整型靶站装置，其特征在于，所述中子束以超热中子为主，所述超热中子能区在0.5eV到10keV之间，热中子能区小于0.5eV，快中子能区大于10keV。

5.根据权利要求2所述的中子束束流整型靶站装置，其特征在于，所述金属为含有Li或Be的合金。

6.根据权利要求1所述的中子束束流整型靶站装置，其特征在于，所述中子慢化层由快中子反应截面大、热中子反应截面小的材料制成。

7.根据权利要求6所述的中子束束流整型靶站装置，其特征在于，所述中子反射层由与快中子反应截面大的重核材料制成。

8.根据权利要求1所述的中子束束流整型靶站装置，其特征在于，所述热中子吸收层由热中子反应截面大的材料制成。

9.根据权利要求1所述的中子束束流整型靶站装置，其特征在于，所述光子吸收层由由Pb或Bi中的至少一种制成。

10.根据权利要求1所述的中子束束流整型靶站装置，其特征在于，不同的层中均可掺杂少量金属Li以降低γ射线污染，Li的质量分数为所述结构重量的0.5％-5％。