[发明专利]一种降低硅片表面颗粒的清洗设备及其清洗方法

说明书

本发明公开了一种降低硅片表面颗粒的清洗设备及其清洗方法，包括清洗箱，所述清洗箱的底部固定连接有底座，清洗箱的顶部开设有清洗槽，清洗箱的上设置有位置调节机构，清洗槽的内部设置有清洗机构，清洗箱的外部设置有定量补液机构，本发明涉及硅片清洗技术领域。该降低硅片表面颗粒的清洗设备及其清洗方法，通过设置有位置调节机构和夹持单元，利用驱动电机带动驱动转轴的转动，配合传动齿轮和传动齿条的传动，带动了提升板的移动，同时利用弹簧的恢复力对产品进行夹紧，不仅实现了对产品的定位和夹紧，而且可以对高度进行调节以便于后续的更换夹持，从而避免了清洗时对产品产生碰撞造成损坏，以此提高了产品的加工质量。

技术领域

本发明涉及硅片清洗技术领域，具体为一种降低硅片表面颗粒的清洗设备及其清洗方法。

背景技术

半导体器件生产中硅片须经严格清洗。微量污染也会导致器件失效；清洗的目的在于清除表面污染杂质，包括有机物和无机物；这些杂质有的以原子状态或离子状态，有的以薄膜形式或颗粒形式存在于硅片表面。有机污染包括光刻胶、有机溶剂残留物、合成蜡和人接触器件、工具、器皿带来的油脂或纤维；无机污染包括重金属金、铜、铁、铬等，严重影响少数载流子寿命和表面电导；碱金属如钠等，引起严重漏电；颗粒污染包括硅渣、尘埃、细菌、微生物、有机胶体纤维等，会导致各种缺陷；清除污染的方法有物理清洗和化学清洗两种。

参考中国专利，专利名称为：一种硅片的物理清洗方法(专利公开号：CN111330903B，专利公开日：2021.08.17)，首先分析硅片基底所带的电荷；然后将硅片放入超声波清洗设备，加入清洗液，通过超声波震荡清洗硅片。采用超声波物理方法清洗硅片，利用电荷的相互作用去除硅片表面的污染物，避免了使用氢氧化钠，氢氧化钾等腐蚀性化学清洗方法对硅片的损伤，解决了现有技术中的化学清洗液容易对硅片造成损伤，且存在清洗效果较差，对于硅片表面的污渍难以做到更好的去除，降低了硅片的使用效果的技术问题。

对比专利文件一种硅片的物理清洗方法(专利公开号：CN111330903B，专利公开日：2021.08.17)，现有的硅片表面清理还存在以下问题：

1、无论是通过超声波清洗还是物理清洗，多数是将产品直接放入到清洗槽中进行清洗，不仅存在清洗不够完全的问题，而且极容易造成产品表面的磨损致使损坏，同时在进行清洗后，依然可能存在部分掉落的颗粒由于水液的粘性导致其再次粘附在产品表面，影响后续的使用；

2、在清洗的过程中，一次的清洗会存在清洗不净的问题，而持续的放水不仅会导致水液的浪费，而且新水液与废水液依然存在混合的可能，对清洗的质量造成较大的影响。

为此，本发明提供了一种降低硅片表面颗粒的清洗设备及其清洗方法。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提供了一种降低硅片表面颗粒的清洗设备及其清洗方法，解决了现有的产品在进行清洗的过程中依然会存在清洗不净，且容易造成产品损坏的问题，同时水液的更换存在无法更替完全的问题。