[发明专利]低梯度大通流冲击稳定性的电阻片材料及其制备方法

权利要求书

1.一种低梯度大通流冲击稳定性的电阻片材料，其特征在于，按照重量百分比计，包括如下原料：

ZnO：80.0～93.0wt.％，Bi₂O₃：2.0～6.0wt.％，Sb₂O₃：1.0～6.0wt.％，NiO：0～6.0wt.％，Cr₂O₃：0～2.0wt.％，Mn₃O₄：0.5～5.0wt.％，Co₃O₄：0.5～5.0wt.％，TiO₂：0.1～0.5wt.％，含Ag和B的玻璃粉：0.5～2.9wt.％。

2.根据权利要求1所述的低梯度大通流冲击稳定性的电阻片材料，其特征在于，按照重量百分比计，包括如下原料：

ZnO：89.1～92.3wt.％，Bi₂O₃：2.3～3.6wt.％，Sb₂O₃：1.5～1.8wt.％，NiO：1.2～2.5wt.％，Cr₂O₃：0.2～0.7wt.％，Mn₃O₄：1.0～1.3wt.％，Co₃O₄：0.9～2.6wt.％，TiO₂：0.1～0.5wt.％，含Ag和B的玻璃粉：0.5～1.5wt.％。

3.根据权利要求2所述的低梯度大通流冲击稳定性的电阻片材料，其特征在于，按照重量百分比计，包括如下原料：

ZnO：89.8wt.％，Bi₂O₃：2.5wt.％，Sb₂O₃：1.8wt.％，NiO：1.4wt.％，Cr₂O₃：0.7wt.％，Mn₃O₄：1.1wt.％，Co₃O₄：1.0wt.％，TiO₂：0.4wt.％，含Ag和B的玻璃粉：1.3wt.％。

4.根据权利要求2所述的低梯度大通流冲击稳定性的电阻片材料，其特征在于，按照重量百分比计，包括如下原料：

ZnO：89.9wt.％，Bi₂O₃：2.5wt.％，Sb₂O₃：1.8wt.％，NiO：1.4wt.％，Cr₂O₃：0.7wt.％，Mn₃O₄：1.1wt.％，Co₃O₄：1.0wt.％，TiO₂：0.3wt.％，含Ag和B的玻璃粉：1.3wt.％。

5.根据权利要求1所述的低梯度大通流冲击稳定性的电阻片材料，其特征在于，按照重量百分比计，包括如下原料：

ZnO：92.3wt.％，Bi₂O₃：2.3wt.％，Sb₂O₃：1.5wt.％，NiO：0.8wt.％，Cr₂O₃：0wt.％，Mn₃O₄：0.6wt.％，Co₃O₄：0.5wt.％，TiO₂：0.5wt.％，含Ag和B的玻璃粉(银玻璃)：1.5wt.％。