[发明专利]改善沉积薄膜厚度均匀性的方法及其掩膜板在审
| 申请号： | 202111061398.6 | 申请日： | 2021-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN115786844A | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 王超星;杨鹏远;王建冲;吕天龙 | 申请（专利权）人： | 北京华卓精科科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/04 | 分类号： | C23C14/04;H01L21/32;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 董永辉;曹素云 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 沉积 薄膜 厚度 均匀 方法 及其 掩膜板 | ||
1.一种改善沉积薄膜厚度均匀性的掩膜板，用于在静电卡盘吸附层表面制作图形，其特征在于，
所述掩膜板的一侧板面从中心到边缘呈逐级降低的阶梯状，在所述掩膜板上设置有穿透其板面以供沉积形成图形的沉积通道，所述掩膜板的另一侧板面用于与静电卡盘吸附层表面贴合。
2.如权利要求1所述的改善沉积薄膜厚度均匀性的掩膜板，其特征在于，
所述掩膜板为金属或陶瓷材料制成。
3.如权利要求2所述的改善沉积薄膜厚度均匀性的掩膜板，其特征在于，
所述金属材料是钛、钛合金、铝、铝合金、316L不锈钢、4J29可伐合金中的一种。
4.如权利要求2所述的改善沉积薄膜厚度均匀性的掩膜板，其特征在于，
所述陶瓷材料是氮化铝、氧化铝中的一种。
5.如权利要求1所述的改善沉积薄膜厚度均匀性的掩膜板，其特征在于，
所述阶梯状是两级阶梯、三级阶梯、四级阶梯、五级阶梯中的一种。
6.如权利要求1所述的改善沉积薄膜厚度均匀性的掩膜板，其特征在于，
所述掩膜板的最薄处厚度为1mm-3mm。
7.如权利要求1所述的改善沉积薄膜厚度均匀性的掩膜板，其特征在于，阶梯状的相邻阶梯的高度差为1mm-10mm。
8.如权利要求1所述的改善沉积薄膜厚度均匀性的掩膜板，其特征在于，
所述阶梯状是与掩膜板一体加工成型的，或通过粘接形成阶梯状。
9.如权利要求1所述的改善沉积薄膜厚度均匀性的掩膜板，其特征在于，
所述掩膜板为圆形，所述沉积通道包括从掩膜板中心到边缘的多圈凸点沉积通道，每一圈凸点沉积通道都包括沿周向间隔设置的多个凸点沉积通道，所述沉积通道还包括与所述掩膜板中心同心的圆弧沉积通道。
10.一种改善沉积薄膜厚度均匀性的方法，其特征在于，利用权利要求1至9中任一项所述的掩膜板，将所述掩膜板的所述另一侧板面与静电卡盘吸附层表面贴合，采用物理气相沉积方法将沉积材料通过所述沉积通道沉积在静电卡盘吸附层表面。
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