[发明专利]一种单晶硅制备方法

权利要求书

1.一种单晶硅制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

对拆炉后的热场进行首次除杂；

安装首次除杂后的热场；

对安装后的热场抽真空和煅烧，以除去安装所述热场后被污染和氧化所产生的挥发性杂质；所述煅烧的温度为大于或等于400℃，所述煅烧的时间为大于或等于10分钟；对安装后的热场抽真空至炉内压强小于或等于10Pa；

将硅料装填到单晶炉内，然后加热融化形成硅熔体；

将籽晶预热，待硅熔体达到引颈温度后将籽晶浸入硅熔体中并提拉籽晶进行引颈生长；

待引颈生长结束后进行放肩和转肩，然后进行等径生长；

待等径生长结束后进行收尾；

待收尾结束后提断，冷却后取出单晶硅棒。

2.根据权利要求1所述的单晶硅制备方法，其特征在于，对安装后的热场抽真空和煅烧包括：对安装后的热场先抽真空后煅烧、对安装后的热场同时抽真空和煅烧或者对安装后的热场先煅烧后抽真空。

3.根据权利要求1所述的单晶硅制备方法，其特征在于，将硅料装填到单晶炉内包括：将碳酸钡悬浮液喷洒到硅料上形成混合硅料，再将混合硅料装填至单晶炉内，其中所述碳酸钡悬浮液由碳酸钡粉末与挥发性化学试剂均匀混合而形成。

4.根据权利要求3所述的单晶硅制备方法，其特征在于，所述挥发性化学试剂为乙醇、乙腈、乙醚、二甲醚中的一种或多种混合。

5.根据权利要求1所述的单晶硅制备方法，其特征在于，还包括：在取出所述单晶硅棒之后，等待至少1小时再对热场中的软毡进行拆炉操作。

6.根据权利要求1所述的单晶硅制备方法，其特征在于，软毡不同的受热部位具有不同的更换周期。

7.根据权利要求6所述的单晶硅制备方法，其特征在于，所述软毡对应导流筒部位的更换周期为至少3个月，所述软毡对应组合炉底部位的更换周期为至少4个月，所述软毡对应保温筒部位的更换周期为至少6个月。