[发明专利]脱气装置、基板处理装置和用于将处理溶液脱气的方法在审
申请号: | 202111061658.X | 申请日: | 2021-09-10 |
公开(公告)号: | CN114171431A | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
发明(设计)人: | 金大城 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B01D19/00 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 侯志源 |
地址: | 韩国忠清南道天安*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 脱气 装置 处理 用于 溶液 方法 | ||
1.一种脱气装置,其安装在处理溶液供应管线上,所述脱气装置包括:
溶解气体抽取喷嘴,所述溶解气体抽取喷嘴配置为从包括溶解气体的处理溶液中以气泡的形式抽取所述溶解气体;和
第一罐,所述第一罐配置为从所述处理溶液中在穿过所述溶解气体抽取喷嘴的情况下将抽取的所述气泡分离。
2.根据权利要求1所述的脱气装置,其中,所述溶解气体抽取喷嘴配置为使得连接所述溶解气体抽取喷嘴的入口和出口的中间通道的直径大于所述入口的直径和所述出口的直径。
3.根据权利要求1所述的脱气装置,其中,所述溶解气体抽取喷嘴包括:
主体,所述主体具有中间通道,所述处理溶液通过所述中间通道在所述中间通道的内部流动;在所述中间通道的一侧上的入口,所述处理溶液通过所述入口被引入;在所述中间通道的相对侧上的出口,所述处理溶液通过所述出口被排放,并且
其中,所述出口的横截面小于所述中间通道的横截面,使得所述处理溶液中的所述溶解气体通过空化现象以所述气泡的形式被抽取。
4.根据权利要求1所述的脱气装置,其中,所述第一罐包括:
第一供应口,所述第一供应口设置在所述第一罐的上端处,并且将所述处理溶液和所述气泡通过所述第一供应口引入;
第一箱体,所述第一箱体具有连接到所述第一供应口的上空间;
第二箱体,所述第二箱体配置成围绕所述第一箱体并具有外空间,在所述外空间中,将从所述上空间引入的所述处理溶液和所述气泡在所述第一箱体和所述第二箱体之间分离;和
第一排出口,所述第一排出口位于所述外空间的上端处,并且将从所述处理液中分离的所述气泡通过所述第一排出口从所述外空间排出。
5.根据权利要求4所述的脱气装置,其中,所述第一箱体包括:
第一流动通道,所述处理溶液和所述气泡通过所述第一流动通道从所述上空间流动到所述外空间;
下空间,所述下空间在所述上空间的下方通过水平分隔墙分隔开,并且在所述下空间中,从所述外空间储存所述处理溶液,从所述处理溶液中已经去除所述气泡;和
第二流动通道,所述处理溶液通过所述第二流动通道在所述外空间与所述下空间之间流动,所述第二流动通道位于分隔所述下空间和所述外空间的竖直分隔墙的下端处。
6.根据权利要求4所述的脱气装置,其中,所述第一罐还包括:
第一排放口,将所述处理溶液通过所述第一排放口从下空间排放,并且
所述第二箱体还包括:
挡板,所述挡板在水平方向上安装在所述外空间中,使得通过第一流动通道引入至所述外空间中的所述处理溶液不会被引入至所述第一排出口中。
7.根据权利要求1所述的脱气装置,其还包括:
第二罐,所述第二罐具有稳定化空间,在所述稳定化空间中,从所述第一罐储存并稳定所述处理溶液,从所述处理溶液中已经分离所述气泡。
8.根据权利要求7所述的脱气装置,其中,所述第二罐包括:
第二供应口,所述第二供应口设置在所述第二罐的下端处,并且通过所述第二供应口从所述第一罐引入所述处理溶液,从所述处理溶液中已经分离所述气泡;
第二排出口,所述第二排出口设置在所述第二罐的上端处,并且将从稳定在所述稳定化空间中的所述处理溶液中分离的气泡通过所述第二排出口排出;和
第二排放口,所述第二排放口设置在所述第二罐的下端处,并且将储存在所述稳定化空间中的所述处理溶液通过所述第二排放口排放。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造