[发明专利]一种高隧道电阻的铁电隧道结忆阻器及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种高隧道电阻的铁电隧道结忆阻器，其特征是，所述忆阻器包括:自下而上依次设置有基底、底部金电极层、异质结层；所述异质结层为CuInP₂S₆/MoS₂垂直异质结，作为介质层。

2.如权利要求1所述的一种高隧道电阻的铁电隧道结忆阻器，其特征是，所述基底选自285nmSiO₂基底、300nmSiO₂基底；优选的，为285nmSiO₂基底。

3.如权利要求1所述的一种高隧道电阻的铁电隧道结忆阻器，其特征是，所述底电极层和顶电极层为同一类型电极层，均为金属电极Cr/Au，Cr为20nm，Au为60nm。

4.如权利要求1所述的一种高隧道电阻的铁电隧道结忆阻器，其特征是，所述电极层的厚度为80nm；或，所述异质结层的厚度为7-15nm，优选的，厚度为7-10nm。

5.一种高隧道电阻的铁电隧道结忆阻器的制备方法，其特征是，包括：

(1)、利用粘有CuInP₂S₆二维材料的金胶带，将CuInP₂S₆二维材料转移到有电极层的基底上，去除胶带；

(2)、采用机械剥离法获得MoS₂二维材料，将MoS₂放到转移系统上，定向压到已有CuInP₂S₆的基底上，同时加热。

6.如权利要求5所述的一种高隧道电阻的铁电隧道结忆阻器的制备方法，其特征是，步骤(1)中，所述金胶带的制备方法包括：在基底上镀金，用PMMA进行匀胶，贴上热释放胶带，处于120-200℃条件下恒温2-10min，撕下带有金膜的胶带就是所需的金胶带；进一步地，所述镀金的厚度为30-80nm，优选的，为50nm；进一步地，所述热释放胶带为正反双层离型膜。

7.如权利要求5所述的一种高隧道电阻的铁电隧道结忆阻器的制备方法，其特征是，步骤(1)中，转移CuInP₂S₆二维材料的具体过程包括：

将粘有CuInP₂S₆二维材料的金胶带粘到基底上，按压，放到恒温中85-105℃，保温2-10min，观察到热释放胶带泛白；进一步地，去除金胶带的方法包括：放入去离子水中浸泡让热释放胶带脱落，然后依次放入丙酮、酒精和去离子水中浸泡去除聚乙烯吡咯烷酮，然后进行氧等离子体处理，最后进行碘化钾溶液浸泡，再用去离子水冲洗。

8.如权利要求7所述的一种高隧道电阻的铁电隧道结忆阻器的制备方法，其特征是，去离子水浸泡时间为10～12h，后放入丙酮、酒精和去离子水中浸泡时间为各19-40min，氧等离子体处理时间为10-40s，碘化钾溶液浸泡时间为8-15h。

9.如权利要求5所述的一种高隧道电阻的铁电隧道结忆阻器的制备方法，其特征是，步骤(2)中，所述机械剥离法具体过程包括：使用热释放胶带在二硫化钼晶体上撕下薄层MoS₂；或，所述加热温度为70-90℃，优选的，为85℃。

10.权利要求1-4任一所述的一种高隧道电阻的铁电隧道结忆阻器和/或权利要求5-9任一所述的高隧道电阻的铁电隧道结忆阻器的制备方法在微电子器件中的应用。