[发明专利]一种碳赫兹膜及其应用

权利要求书

1.一种碳赫兹膜，其特征在于，按照重量份计，所述碳赫兹膜的制备材料包括：氧化铅20.0-33.1份、氧化锂26.8-38.0份、氧化锌16.0-28.9份及石墨22-38份；所述碳赫兹膜的制备材料不包含二氧化硅。

2.根据权利要求1所述的碳赫兹膜，其特征在于，按重量份数计，所述制备材料还包括以下的添加剂：氧化硼0.1-2.0份、氧化铬0-0.074份、氧化铁0-0.148份及氧化钒0-0.037份。

3.根据权利要求1所述的碳赫兹膜，其特征在于，所述石墨为天然鳞片石墨粉。

4.根据权利要求1所述的碳赫兹膜，其特征在于：所述碳赫兹膜的厚度为0.05-0.80mm。

5.根据权利要求1-4任一项所述的碳赫兹膜，其特征在于：所述碳赫兹膜的制备方法包括以下步骤：将所述制备材料制成混合干粉，采用涂布或丝网印刷工艺将所述混合干粉在绝缘衬底表面制备成膜，并与绝缘衬底永久烧结成界面相互渗透、不可剥离的整体。

6.根据权利要求5所述的碳赫兹膜，其特征在于，所述绝缘衬底的材质为玻璃、搪瓷、陶瓷、经绝缘与处理过的金属或合金、石棉、云母、高铝、硅酸铝中的任意一种。

7.根据权利要求5所述的碳赫兹膜，其特征在于：所述绝缘衬底为锆瓷板/管、耐温陶瓷板/管、陶瓷玻璃板/管、石英玻璃板/管、高硼玻璃或95玻璃板/管、微晶玻璃板/管、耐温钢化玻璃板/管、经表面绝缘处理的金属板/管、人工云母板中的任意一种。

8.根据权利要求5所述的碳赫兹膜，其特征在于：所述绝缘衬底的线膨胀系数为2×10^-7-200×10^-7。

9.如权利要求1-8任一项所述的碳赫兹膜在制备电热元件、红外辐射元件上的应用。