[发明专利]一种钙钛矿薄膜及其制备方法有效
申请号: | 202111062818.2 | 申请日: | 2021-09-10 |
公开(公告)号: | CN113782684B | 公开(公告)日: | 2022-10-21 |
发明(设计)人: | 李卫东;李梦洁;申建汛;王力军;赵志国;秦校军;刘家梁;熊继光;刘入维;梁思超;王森 | 申请(专利权)人: | 华能新能源股份有限公司;中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/42;H01L51/46;B82Y15/00;B82Y30/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 刘乐 |
地址: | 100036 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 钙钛矿 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种钙钛矿薄膜的制备方法,包括以下步骤:
a)将钙钛矿的前驱体溶液进行湿法制膜,得到钙钛矿湿膜;所述湿法制膜的方式为刮涂、喷雾热解或旋涂;所述湿法制膜的温度为10℃~30℃,厚度为100nm~1000nm;
b)在步骤a)得到的钙钛矿湿膜表面喷涂纳米粉体粒子,进行固化处理,退火后得到钙钛矿薄膜;所述纳米粉体粒子的粒径为5nm~200nm;所述喷涂的厚度为5nm~50nm;所述纳米粉体粒子为纳米晶和/或纳米线;
所述纳米粉体粒子为N型纳米粉体粒子或P型纳米粉体粒子;所述N型纳米粉体粒子选自纳米TiO2粉体、纳米石墨烯粉体、纳米SnO2粉体和纳米ZnO粉体中的一种或多种;所述P型纳米粉体粒子选自纳米NiOx粉体、纳米Cu2O粉体、纳米CuI粉体、纳米PTAA粉体和纳米CuSCN粉体中的一种或多种;所述固化处理的方式为风刀处理或真空加热处理;所述风刀处理的温度为10℃~100℃,风幕吹出倍数为1倍~25倍的环境空气;所述真空加热处理的温度为50℃~80℃,真空度150Pa;所述退火的温度为100℃~150℃,时间为10min~100min。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤a)中所述钙钛矿的前驱体溶液中的溶质具有式(I)所示通式:
ABX3 式(I);
式(I)中,A为CH3NH3、NH2CHNH2、C8H9NH3或Cs,B为Pb或Sn,X选自Cl、Br和I中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤a)中所述钙钛矿的前驱体溶液中的溶剂选自DMF、DMSO、GBL、2-ME、乙腈、甲醇和ACN中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤a)中所述钙钛矿的前驱体溶液的浓度为0.05mol/L~1.5mol/L。
5.一种钙钛矿薄膜,其特征在于,采用权利要求1~4任一项所述的制备方法制备而成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
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