[发明专利]成膜装置

权利要求书

1.一种成膜装置，其特征在于，包括：

腔室，能够使内部为真空；

旋转台，设置于所述腔室内，且沿着圆周的搬运路径循环搬运工件；

多个靶材，包含堆积于所述工件成为膜的成膜材料而形成，与通过所述旋转台循环搬运的所述工件相向，且设置于距所述旋转台的旋转中心的半径方向的距离不同的位置上；

屏蔽构件，形成包围来自所述靶材的所述成膜材料飞散的区域的成膜室，且在与通过所述旋转台循环搬运的所述工件相向的一侧具有开口；以及

等离子体发生器，具有向所述成膜室导入溅射气体的溅射气体导入部及向所述靶材施加电力的电源部，通过向所述靶材施加电力而使所述成膜室内的溅射气体产生等离子体，且

具有通过缩窄所述开口来遮蔽从所述靶材飞散的所述成膜材料的遮蔽板，

关于所述遮蔽板覆盖所述开口的面积的比例，相较于与距所述旋转中心最远的靶材相向的区域，与距所述旋转中心最近的靶材相向的区域大。

2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，所述靶材为三个以上，且

随着成为距所述旋转中心近的区域，所述遮蔽板覆盖所述开口的面积的比例大。

3.根据权利要求2所述的成膜装置，其特征在于，所述遮蔽板的一部分设置于会与距所述旋转中心最近的靶材产生所述旋转台的旋转轴方向上的重叠的位置上。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的成膜装置，其特征在于，所述电源部向距所述旋转中心最近的靶材施加电力的时间比向距所述旋转中心最远的靶材施加电力的时间短。

5.根据权利要求4所述的成膜装置，其特征在于，所述靶材为三个以上，且

随着成为距所述旋转中心近的靶材，施加电力的时间短。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的成膜装置，其特征在于，向所述各靶材的施加电力大于4.5kW。

7.根据权利要求6所述的成膜装置，其特征在于，向所述各靶材的施加电力相等。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的成膜装置，其特征在于，具有膜处理部，所述膜处理部设置于所述腔室内，且每当循环搬运的所述工件通过所述成膜部而形成膜时，对所述膜进行膜处理。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的成膜装置，其特征在于，所谓与距所述旋转中心最远的靶材相向的区域，

是利用以所述旋转中心为中心的同心圆划分由所述开口划定的区域而成的环状扇形的区域，且是包括距所述旋转中心最远的靶材的正下方、不包括其他靶材的正下方的区域，

所谓与距所述旋转中心最近的靶材相向的区域，

是所述环状扇形的区域，且是包括距所述旋转中心最近的靶材的正下方、不包括其他靶材的正下方的区域。