[发明专利]一种石英表面复合涂层及其制备方法有效
申请号: | 202111064302.1 | 申请日: | 2021-09-10 |
公开(公告)号: | CN113716878B | 公开(公告)日: | 2023-06-16 |
发明(设计)人: | 吴建;王卓健;刘兴亮 | 申请(专利权)人: | 湖南倍晶新材料科技有限公司 |
主分类号: | C03C17/34 | 分类号: | C03C17/34;C23C16/02;C23C16/30;C23C16/32 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 任洁芳 |
地址: | 418005 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 石英 表面 复合 涂层 及其 制备 方法 | ||
本发明涉及一种石英表面复合涂层,包括沉积于石英材料表面上的第一SiOsubgt;2/subgt;/SiC复合涂层,沉积于所述第一SiOsubgt;2/subgt;/SiC复合涂层表面的第二SiOsubgt;2/subgt;/SiC复合涂层,以及所述沉积于第二SiOsubgt;2/subgt;/SiC复合涂层表面的SiC涂层;所述第一SiOsubgt;2/subgt;/SiC复合涂层中,SiOsubgt;2/subgt;的含量高于SiC的含量;所述第二SiOsubgt;2/subgt;/SiC复合涂层中,SiOsubgt;2/subgt;的含量与SiC的含量比例相近。该复合涂层的结构稳定,与石英表面之间的结合力强,且耐氢氟酸腐蚀性能优异,能够防止石英在高温热处理条件下与晶片发生粘结,同时能够防止石英中的杂质挥发对晶片造成污染,有效保障晶片的质量。除此之外,本发明还提供一种石英表面复合涂层的制备方法,同样具有上述技术效果,且制备工艺简单,成本低。
技术领域
本发明涉及半导体晶片热处理技术领域,尤其涉及一种石英表面复合涂层及其制备方法。
背景技术
石英是主要造岩矿物之一,一般指低温石英(α-石英),是石英族矿物中分布最广的一个矿物,广义的石英还包括高温石英(β-石英)和柯石英等。石英是一种物理性质和化学性质均十分稳定的矿产资源,其热膨胀系数较小,能够承受剧烈的温度变化而不炸裂,具有较强的耐腐蚀性能(是不锈钢的150倍),尤其在高温下具有良好的化学稳定性。因此,石英玻璃常被作为晶舟材料使用。
然而,石英舟在实际使用过程中存在一些缺点,例如:1、石英舟在高温热处理下容易和晶片发生粘结;2、石英舟里面的一些杂质容易挥发出来污染晶片,降低晶片质量;3、虽然石英玻璃耐酸碱腐蚀能力较强,但是不耐氢氟酸腐蚀。
因此,如何提供一种结构稳定,耐氢氟酸腐蚀性能优异,能够有效保障晶片质量的石英表面复合涂层,成为了本领域技术人员亟待解决的技术问题。
发明内容
为了解决上述技术问题,本发明的目的在于提供一种石英表面复合涂层,该复合涂层的结构稳定,与石英表面之间的结合力强,且耐氢氟酸腐蚀性能优异,能够防止石英在高温热处理条件下与晶片发生粘结,同时能够防止石英中的杂质挥发对晶片造成污染,有效保障晶片的质量。除此之外,本发明还提供一种石英表面复合涂层的制备方法,同样具有上述技术效果,且制备工艺简单,成本低。
本发明的技术方案如下:
一种石英表面复合涂层,包括沉积于石英材料表面上的第一SiO2/SiC复合涂层,沉积于所述第一SiO2/SiC复合涂层表面的第二SiO2/SiC复合涂层,以及所述沉积于第二SiO2/SiC复合涂层表面的SiC涂层;所述第一SiO2/SiC复合涂层中,SiO2的含量高于SiC的含量;所述第二SiO2/SiC复合涂层中,SiO2的含量与SiC的含量比例相近。
优选的,所述第一SiO2/SiC复合涂层中,SiO2的含量为60-90wt%。
优选的,所述第二SiO2/SiC复合涂层中,SiO2的含量为50-60wt%。
优选的,所述第一SiO2/SiC复合涂层、所述第二SiO2/SiC复合涂层、以及所述SiC涂层的厚度比例为(1-5μm):(1-5μm):(50-100μm),所述第一SiO2/SiC复合涂层、所述第二SiO2/SiC复合涂层、以及所述SiC涂层的总厚度为52-110μm。
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