[发明专利]一种双层谐振耦合吸波体

权利要求书

1.一种双层谐振耦合吸波体，其特征在于，包括：金属背板，放置在所述金属背板上的若干阵列排布的吸波单元，所述吸波单元包括依次叠放的第一介质层、第一吸波结构层、第二介质层、第二吸波结构、第三介质层，所述第一介质层为最底层且与金属背板连接；所述第一介质层、第二介质层、第三介质层的厚度范围为0.8-1.5mm，介电常数ε的范围为0.7-1.6；所述第一吸波结构层包括第一环形电阻图案，所述第二吸波结构层包括第二环形电阻图案，所述第一环形电阻图案的周期、第二环形电阻图案的周期均为P，即相邻的两个第一环形电阻图案的中心之间的距离、相邻的两个第一环形电阻图案的中心之间的距离均为P，且10mm≤P≤35mm，所述第一环形电阻图案为内圆外方环形结构，内圆的半径为R1，且3mm≤R1≤10mm，外方的边长为L1，且4mm≤R1≤12mm，所述第一环形电阻图案的方阻为Rs1，且Rs1的范围为50-1000Ω/□；所述第二环形电阻图案为内方外圆环形结构，外圆的半径为R2，且4mm≤R2≤12mm，内方的边长为L2，且3mm≤R2≤10mm，所述第二环形电阻图案的方阻为Rs2，且Rs1的范围为50-1000Ω/□；吸波单元中的第一环形电阻图案的中心、第二环形电阻电阻图案的中心投影在金属背板上的点分布在直径为4mm的圆内。

2.根据权利要求1所述的一种双层谐振耦合吸波体，其特征在于，吸波单元中的第一环形电阻图案的中心、第二环形电阻电阻图案的中心投影在金属背板上同一个点上。

3.根据权利要求1所述的一种双层谐振耦合吸波体，其特征在于，所述第一吸波结构层还包括：第一薄膜层，所述第二吸波结构层还包括：第二薄膜层，所述第一环形电阻图案设置在第一薄膜层上，所述第二环形电阻图案设置在第二薄膜层上，所述第一薄膜层、第二薄膜层的厚度为0.01mm-0.3mm。

4.根据权利要求3所述的一种双层谐振耦合吸波体，其特征在于，所述第一薄膜层、第二薄膜层为聚酰亚胺薄膜或PET膜。

5.根据权利要求3所述的一种双层谐振耦合吸波体，其特征在于，所述第一介质层、第二介质层、第三介质层采用蜂窝材料板或者轻质聚甲基丙烯酰亚胺泡沫板或聚氯乙烯泡沫板。

6.根据权利要求1所述的一种双层谐振耦合吸波体，其特征在于，金属背板、第一介质层、第一吸波结构层、第二介质层、第二吸波结构、第三介质层之间通过胶膜层连接，所述胶膜层的材质为酚醛树脂或环氧树脂或不饱和聚酯树脂。

7.根据权利要求6所述的一种双层谐振耦合吸波体，其特征在于，所述胶膜层中设置有纤维材料，所述纤维材料为玻璃纤维或碳纤维或有机纤维。

8.根据权利要求3所述的一种双层谐振耦合吸波体，其特征在于，所述第一环形电阻图案、第二环形电阻图案采用丝印的方式分布印刷在第一薄膜层、第二薄膜层上。

9.根据权利要求1所述的一种双层谐振耦合吸波体，其特征在于，所述第一环形电阻图案的周期、第二环形电阻图案的周期均为P＝20mm，所述第一环形电阻图案为内圆外方环形结构，内圆的半径为R1＝7mm，外方的边长为L1＝10mm，所述第一环形电阻图案的方阻为Rs1＝600Ω/□；所述第二环形电阻图案为内方外圆环形结构，外圆的半径为R2＝10mm，内方的边长为L2＝7mm，所述第二环形电阻图案的方阻为Rs2，且Rs1的范围为400Ω/□；所述第一介质层、第二介质层、第三介质层的厚度为1.1mm，介电常数ε为1.08；在2-60GHz范围内，斜入射小于60°时的反射率低于-10dB。

10.根据权利要求1所述的一种双层谐振耦合吸波体，其特征在于，所述第一环形电阻图案的周期、第二环形电阻图案的周期均为P＝20mm，所述第一环形电阻图案为内圆外方环形结构，内圆的半径为R1＝7mm，外方的边长为L1＝10mm，所述第一环形电阻图案的方阻为Rs1＝600Ω/□；所述第二环形电阻图案为内方外圆环形结构，外圆的半径为R2＝10mm，内方的边长为L2＝7mm，所述第二环形电阻图案的方阻为Rs2，且Rs1的范围为400Ω/□；所述第一介质层、第二介质层、第三介质层的厚度为1.1mm，介电常数ε为1.08；在2-60GHz范围内，垂直照射时的反射率低于-10dB。