[发明专利]压电薄膜片和压电薄膜传感器在审
申请号: | 202111065213.9 | 申请日: | 2021-09-11 |
公开(公告)号: | CN113937214A | 公开(公告)日: | 2022-01-14 |
发明(设计)人: | 宋细彬 | 申请(专利权)人: | 深圳市真元天成科技有限公司 |
主分类号: | H01L41/113 | 分类号: | H01L41/113;G01H11/08 |
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地址: | 518000 广东省深圳市龙华区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 压电 薄膜 传感器 | ||
1.一种压电薄膜片,包括压电薄膜层,所述压电薄膜层沿其纵向极化,所述压电薄膜片还包括覆盖在所述压电薄膜层上表面的正电极层和覆盖在所述压电薄膜层下表面的负电极层,其特征在于,所述压电薄膜层中具有若干空腔,各空腔沿所述压电薄膜层横向紧密排列在所述压电薄膜层中。
2.如权利要求1所述的压电薄膜片,其特征在于,所述空腔沿所述压电薄膜层纵向贯穿所述压电薄膜层,形成两端开口的网孔,使所述压电薄膜层形成网状结构,所述正电极层和所述负电极层分别覆盖住各网孔的两端开口。
3.如权利要求2所述的压电薄膜片,其特征在于,所述网孔为正六边形。
4.如权利要求2所述的压电薄膜片,其特征在于,所述网孔为圆形。
5.如权利要求2所述的压电薄膜片,其特征在于,所述网孔为四边形。
6.一种压电薄膜传感器,其特征在于,包括如权利要求1-5中任一所述的压电薄膜片,还包括与所述压电薄膜片中的正电极层连接的正电极和与所述压电薄膜片中的负电极层连接的负电极。
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