[发明专利]对位合成系统及对位合成方法在审
申请号: | 202111065573.9 | 申请日: | 2021-09-10 |
公开(公告)号: | CN113937046A | 公开(公告)日: | 2022-01-14 |
发明(设计)人: | 王正根;张延凯;吴超进 | 申请(专利权)人: | 苏州迈为科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L33/48 |
代理公司: | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人: | 徐会娟 |
地址: | 215200 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 对位 合成 系统 方法 | ||
1.一种对位合成系统,其特征在于,用于利用初始晶元单元合成LED晶元单元,其中初始晶元单元包括第一晶元单元RRR、第二晶元单元GGG、第三晶元单元BBB和第四晶元单元WWW,W为空白晶元;所述对位合成系统包括激光检测单元、吸附台以及移动组件;其中,
所述移动组件用于将所述第一晶元单元RRR移动至所述激光工作模组,所述吸附台用于将所述第一晶元单元RRR吸附,并将所述第四晶元单元WWW移动至所述吸附台的下方,以使得所述第一晶元单元RRR与所述第四晶元单元WWW对位合成第一中间晶元单元RWW;
所述移动组件还用于将所述第二晶元单元GGG移动至所述激光工作模组,所述吸附台用于将所述第二晶元单元GGG吸附,以使得所述第二晶元单元GGG与所述第一中间晶元单元RWW对位合成第二中间单元RGW;
所述移动组件还用于将所述第三晶元单元BBB移动至所述激光工作模组,所述吸附台用于将所述第三晶元单元BBB吸附,以使所述第三晶元单元BBB与所述第二中间单元RGW对位合成LED晶元单元RGB。
2.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述对位合成系统还包括机械手、左预校模组、左预校载台、右预校模组和右预校载台。
3.根据权利要求2所述的系统,其特征在于,所述对位合成系统包括沿作业流向设置于左侧的第一左侧载台、第二左侧载台、所述左预校载台、所述左预校模组、所述左上下料模组和所述左料盒切换模组,以及沿作业流向对称设置于右侧的第一右侧载台、第二右侧载台、所述右预校载台、所述右预校模组、所述右上下料模组和所述右料盒切换模组,其中,所述第一左侧载台和所述第一右侧载台设置于靠近所述激光工作模组的一端,所述左料盒切换模组和所述右料盒切换模组设置于远离所述激光工作模组的一端。
4.一种对位合成方法,其特征在于,应用于权利要求1至3中任一项所述的对位合成系统;所述方法包括:
准备预设数量的初始晶元单元,其中,初始晶元单元包括第一晶元单元RRR、第二晶元单元GGG、第三晶元单元BBB和第四晶元单元WWW,W为空白晶元;
重复执行利用每一个第四晶元单元WWW依次与第一晶元单元RRR、第二晶元单元GGG、第三晶元单元BBB对位合成一个LED晶元单元RGB的步骤;其中,
所述利用每一个第四晶元单元WWW依次与第一晶元单元RRR、第二晶元单元GGG、第三晶元单元BBB对位合成一个LED晶元单元RGB的步骤,包括:
所述移动组件将所述第一晶元单元RRR移动至激光工作模组,所述吸附台将所述第一晶元单元RRR吸附,所述移动组件将所述第四晶元单元WWW移动至所述吸附台的下方;
将所述第四晶元单元WWW对位合成第一中间晶元单元RWW;
所述移动组件将所述第二晶元单元GGG移动至所述激光工作模组,所述吸附台将所述第二晶元单元GGG吸附,所述第二晶元单元GGG与所述第一中间晶元单元RWW对位合成第二中间单元RGW;
所述移动组件将所述第三晶元单元BBB移动至所述激光工作模组,所述吸附台将所述第三晶元单元BBB吸附,所述第三晶元单元BBB与所述第二中间单元RGW对位合成晶元单元RGB。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述对位合成系统还包括机械手、左预校模组、左预校载台、右预校模组和右预校载台;
所述移动组件将所述第一晶元单元RRR移动至激光工作模组,所述吸附台将所述第一晶元单元RRR吸附,所述移动组件将所述第四晶元单元WWW移动至所述吸附台的下方的步骤之前,所述方法还包括:
所述机械手将所述第一晶元单元RRR搬运到右预校载台,所述右预校模组对所述第一晶元单元进行预对位;
所述机械手将所述第四晶体单元WWW搬运至所述左预校载台,所述左预校载台的左预校模组对所述第四晶元单元进行预对位。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州迈为科技股份有限公司,未经苏州迈为科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111065573.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造