[发明专利]对位合成系统及对位合成方法在审

专利信息
申请号: 202111065573.9 申请日: 2021-09-10
公开(公告)号: CN113937046A 公开(公告)日: 2022-01-14
发明(设计)人: 王正根;张延凯;吴超进 申请(专利权)人: 苏州迈为科技股份有限公司
主分类号: H01L21/68 分类号: H01L21/68;H01L33/48
代理公司: 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 代理人: 徐会娟
地址: 215200 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 对位 合成 系统 方法
【权利要求书】:

1.一种对位合成系统,其特征在于,用于利用初始晶元单元合成LED晶元单元,其中初始晶元单元包括第一晶元单元RRR、第二晶元单元GGG、第三晶元单元BBB和第四晶元单元WWW,W为空白晶元;所述对位合成系统包括激光检测单元、吸附台以及移动组件;其中,

所述移动组件用于将所述第一晶元单元RRR移动至所述激光工作模组,所述吸附台用于将所述第一晶元单元RRR吸附,并将所述第四晶元单元WWW移动至所述吸附台的下方,以使得所述第一晶元单元RRR与所述第四晶元单元WWW对位合成第一中间晶元单元RWW;

所述移动组件还用于将所述第二晶元单元GGG移动至所述激光工作模组,所述吸附台用于将所述第二晶元单元GGG吸附,以使得所述第二晶元单元GGG与所述第一中间晶元单元RWW对位合成第二中间单元RGW;

所述移动组件还用于将所述第三晶元单元BBB移动至所述激光工作模组,所述吸附台用于将所述第三晶元单元BBB吸附,以使所述第三晶元单元BBB与所述第二中间单元RGW对位合成LED晶元单元RGB。

2.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述对位合成系统还包括机械手、左预校模组、左预校载台、右预校模组和右预校载台。

3.根据权利要求2所述的系统,其特征在于,所述对位合成系统包括沿作业流向设置于左侧的第一左侧载台、第二左侧载台、所述左预校载台、所述左预校模组、所述左上下料模组和所述左料盒切换模组,以及沿作业流向对称设置于右侧的第一右侧载台、第二右侧载台、所述右预校载台、所述右预校模组、所述右上下料模组和所述右料盒切换模组,其中,所述第一左侧载台和所述第一右侧载台设置于靠近所述激光工作模组的一端,所述左料盒切换模组和所述右料盒切换模组设置于远离所述激光工作模组的一端。

4.一种对位合成方法,其特征在于,应用于权利要求1至3中任一项所述的对位合成系统;所述方法包括:

准备预设数量的初始晶元单元,其中,初始晶元单元包括第一晶元单元RRR、第二晶元单元GGG、第三晶元单元BBB和第四晶元单元WWW,W为空白晶元;

重复执行利用每一个第四晶元单元WWW依次与第一晶元单元RRR、第二晶元单元GGG、第三晶元单元BBB对位合成一个LED晶元单元RGB的步骤;其中,

所述利用每一个第四晶元单元WWW依次与第一晶元单元RRR、第二晶元单元GGG、第三晶元单元BBB对位合成一个LED晶元单元RGB的步骤,包括:

所述移动组件将所述第一晶元单元RRR移动至激光工作模组,所述吸附台将所述第一晶元单元RRR吸附,所述移动组件将所述第四晶元单元WWW移动至所述吸附台的下方;

将所述第四晶元单元WWW对位合成第一中间晶元单元RWW;

所述移动组件将所述第二晶元单元GGG移动至所述激光工作模组,所述吸附台将所述第二晶元单元GGG吸附,所述第二晶元单元GGG与所述第一中间晶元单元RWW对位合成第二中间单元RGW;

所述移动组件将所述第三晶元单元BBB移动至所述激光工作模组,所述吸附台将所述第三晶元单元BBB吸附,所述第三晶元单元BBB与所述第二中间单元RGW对位合成晶元单元RGB。

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述对位合成系统还包括机械手、左预校模组、左预校载台、右预校模组和右预校载台;

所述移动组件将所述第一晶元单元RRR移动至激光工作模组,所述吸附台将所述第一晶元单元RRR吸附,所述移动组件将所述第四晶元单元WWW移动至所述吸附台的下方的步骤之前,所述方法还包括:

所述机械手将所述第一晶元单元RRR搬运到右预校载台,所述右预校模组对所述第一晶元单元进行预对位;

所述机械手将所述第四晶体单元WWW搬运至所述左预校载台,所述左预校载台的左预校模组对所述第四晶元单元进行预对位。

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