[发明专利]一种单晶金刚石低指数晶面的抛光方法

权利要求书

1.一种单晶金刚石低指数晶面的抛光方法，其特征在于该方法具体步骤如下：

一、第一步抛光：采用金刚砂抛光盘，利用ZrO₂/Al₂O₃纳米颗粒与去离子水的混合液，对单晶金刚石进行抛光，控制抛光时间为1～1.5h去除表面微凸体；

二、第二步抛光：更换抛光盘为聚氨酯抛光垫，并在抛光垫上涂覆CuO/Fe₂O₃纳米颗粒，对步骤一处理的单晶金刚石表面继续进行抛光，控制抛光时间为0.5～1h；

三、第三步抛光：将去离子水加入聚氨酯抛光垫中，对步骤二处理的单晶金刚石表面继续进行抛光，控制抛光时间为0.1～0.5h，完成抛光。

2.根据权利要求1所述一种单晶金刚石低指数晶面的抛光方法，其特征在于所述单晶金刚石低指数晶面为{100}、{110}和{111}面。

3.根据权利要求1所述一种单晶金刚石低指数晶面的抛光方法，其特征在于步骤一所述ZrO₂/Al₂O₃纳米颗粒与去离子水的混合液中，去离子水、ZrO₂纳米颗粒和Al₂O₃纳米颗粒的质量比为1000：(0.05～1000)：0.1。

4.根据权利要求3所述一种单晶金刚石低指数晶面的抛光方法，其特征在于ZrO₂纳米颗粒和Al₂O₃纳米颗粒的均粒度为20～30nm。

5.根据权利要求1所述一种单晶金刚石低指数晶面的抛光方法，其特征在于所述抛光盘和抛光垫的直径均为100～150mm。

6.根据权利要求1所述一种单晶金刚石低指数晶面的抛光方法，其特征在于步骤二采用铁片将CuO/Fe₂O₃纳米颗粒涂覆在抛光垫微孔内，每隔20min涂覆一次。

7.根据权利要求1所述一种单晶金刚石低指数晶面的抛光方法，其特征在于步骤二所述CuO/Fe₂O₃纳米颗粒中CuO纳米颗粒和Fe₂O₃纳米颗粒的质量比为1：1，且CuO纳米颗粒和Fe₂O₃纳米颗粒的均粒度为20～30nm。

8.根据权利要求1所述一种单晶金刚石低指数晶面的抛光方法，其特征在于步骤三控制去离子水的流速为100～200mL/h。

9.根据权利要求1所述一种单晶金刚石低指数晶面的抛光方法，其特征在于所述第一步抛光、第二步抛光和第三步抛光的工艺条件为：常温、空气条件下，抛光盘或抛光垫转速为600～1000r/min，施加载荷为0.5～1kg。