[发明专利]兰姆波谐振器及其制备方法

权利要求书

1.一种兰姆波谐振器，其特征在于，包括：

支撑衬底、支撑结构、压电薄膜和顶部电极；所述支撑衬底和所述压电薄膜间隔设置，所述支撑结构的一端设置于所述支撑衬底的表面，所述支撑结构的另一端设置于所述压电薄膜的第一表面，所述顶部电极设置于所述压电薄膜的背离所述支撑衬底的第二表面，所述顶部电极和所述支撑结构在所述压电薄膜的厚度方向上至少有部分重叠。

2.根据权利要求1所述的兰姆波谐振器，其特征在于，所述支撑结构包括多个支撑体，所述多个支撑体的一端间隔设置于所述支撑衬底的表面，所述多个支撑体的另一端间隔设置于所述压电薄膜的第一表面。

3.根据权利要求2所述的兰姆波谐振器，其特征在于，所述顶部电极包括多个子电极，所述多个子电极间隔设置于所述压电薄膜的所述第二表面；一个所述子电极与一个所述支撑体一一对应，且在所述压电薄膜的厚度方向上至少有部分重叠。

4.根据权利要求3所述的兰姆波谐振器，其特征在于，所述多个子电极与所述压电薄膜接触的面积之和不小于所述多个支撑体与所述压电薄膜的接触面积之和。

5.根据权利要求3所述的兰姆波谐振器，其特征在于，每个所述支撑体的形状为长条形、棱柱形、圆柱形、棱台形或圆台形；

或/和，每个所述子电极为长条形、棱柱形或圆柱形。

6.根据权利要求2-5任一项所述的兰姆波谐振器，其特征在于，所述支撑衬底的材料为Si、SOI、SiC、蓝宝石或金刚石；

或/和，所述支撑结构的材料为SiO₂、SiC、SiN或金刚石；

或/和，所述压电薄膜的材料为铌酸锂或钽酸锂；

或/和，所述顶部电极的材料为Al、Mo、Au、Ag、Ni、Pt或Cu。

7.根据权利要求6所述的兰姆波谐振器，其特征在于，所述支撑体与所述压电薄膜之间设置有粘接层。

8.根据权利要求7所述的兰姆波谐振器，其特征在于，所述粘接层的材料为SiO₂、SiC、SiN或金刚石。

9.一种权利要求1-8任一项所述的兰姆波谐振器的制备方法，其特征在于，包括：

提供支撑衬底，在所述支撑衬底的表面上形成所述支撑结构；

形成压电薄膜，并将所述压电薄膜的第一表面设置于所述支撑结构的远离所述支撑衬底的一端；

在所述压电薄膜的背离所述支撑衬底的第二表面形成所述顶部电极，使所述顶部电极和所述支撑结构在所述压电薄膜的厚度方向上至少有部分重叠。

10.根据权利要求9所述的兰姆波谐振器的制备方法，其特征在于，形成压电薄膜，将所述压电薄膜的第一表面键合至所述支撑结构的远离所述支撑衬底的一端的步骤，包括：

提供压电衬底，在所述压电衬底上进行离子注入，形成由缺陷层连接的第一衬底和第二衬底；

将所述第一衬底键合至所述支撑结构的远离所述支撑衬底的一端；

剥离所述第二衬底并减薄所述第一衬底，形成所述压电薄膜。

11.根据权利要求9所述的兰姆波谐振器的制备方法，其特征在于，提供支撑衬底，在所述支撑衬底的表面上形成所述支撑结构的步骤，包括：

提供所述支撑衬底，刻蚀所述支撑衬底的上部形成所述支撑结构；

或，提供所述支撑衬底，在所述支撑衬底上设置支撑薄膜，刻蚀所述支撑薄膜形成所述支撑结构。