[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：提供衬底；刻蚀所述衬底，形成凹槽以及位于相邻所述凹槽之间的有源区，所述凹槽包括第一凹槽以及位于所述第一凹槽下方、且与所述第一凹槽连通的第二凹槽，且所述第一凹槽的内径大于所述第二凹槽的内径；填充所述凹槽，于所述凹槽内形成具有空气隙的填充层。本发明降低了所述半导体结构工作过程中相邻有源区之间的干扰作用，减轻了行锤击效应的影响，改善了半导体结构的良率及性能可靠性。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

背景技术

动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是计算机等电子设备中常用的半导体装置，其由多个存储单元构成，每个存储单元通常包括晶体管和电容器。所述晶体管的栅极与字线电连接、源极与位线电连接、漏极与电容器电连接，字线上的字线电压能够控制晶体管的开启和关闭，从而通过位线能够读取存储在电容器中的数据信息，或者将数据信息写入到电容器中。

在DRAM等半导体结构中，每个有源区与两条字线交叠(即两条字线穿过同一有源区)，当其中一条字线被激活且被反复刷新(refresh)，会产生如下两方面的影响：一方面，会对穿过同一有源区的另一条字线产生噪声或者干扰；另一方面，在与被激活的字线邻近的有源区被激活或者被刷新之前，若被激活的字线刷新频率过高，会使得与被激活的字线邻近的有源区变得脆弱，出现电荷损失或者漏电问题。上述两方面的影响都会造成与被激活的字线邻近的一个或者多个有源区的数据发生错误，产生所谓的行锤击效应(RowHammer Effect)。

因此，如何减轻行锤击效应，降低相邻有源区之间的相互干扰，提高半导体结构的良率及性能可靠性，是当前亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明提供一种半导体结构及其形成方法，用于解决现有技术的半导体结构易产生行锤击效应的问题，以降低相邻有源区之间的相互干扰，提高半导体结构的良率及性能可靠性。

为了解决上述问题，本发明提供了一种半导体结构的形成方法，包括如下步骤：

提供衬底；

刻蚀所述衬底，形成凹槽以及位于相邻所述凹槽之间的有源区，所述凹槽包括第一凹槽以及位于所述第一凹槽下方、且与所述第一凹槽连通的第二凹槽，且所述第一凹槽的内径大于所述第二凹槽的内径；

填充所述凹槽，于所述凹槽内形成具有空气隙的填充层。

可选的，形成凹槽以及位于相邻所述凹槽之间的有源区的具体步骤包括：

形成覆盖所述衬底的掩模层，所述掩模层中具有暴露所述衬底的开口；

沿所述开口刻蚀所述衬底，形成第一凹槽以及位于相邻所述第一凹槽之间的第一子有源区；

沿所述第一凹槽继续刻蚀所述衬底，于所述第一凹槽下方形成与所述第一凹槽连通的第二凹槽、以及位于相邻所述第二凹槽之间的第二子有源区，所述第一凹槽的内径大于所述第二凹槽的内径，所述第一子有源区的宽度小于所述第二子有源区的宽度。

可选的，所述第一凹槽的深度为所述凹槽的深度的20％～30％。

可选的，沿所述第一凹槽继续刻蚀所述衬底之前，还包括如下步骤：

形成覆盖所述第一凹槽侧壁的侧壁保护层。

可选的，所述侧壁保护层的厚度为所述第一子有源区宽度的1/5～1/4。

可选的，沿所述第一凹槽继续刻蚀所述衬底之后，还包括如下步骤：

去除所述侧壁保护层。

可选的，填充所述凹槽之前，还包括如下步骤：