[发明专利]一种QLED器件的制造方法

说明书

本发明提供一种QLED器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供阳极基板；在阳极基板上形成空穴注入层；在空穴注入层上形成空穴传输层；在空穴传输层上喷墨打印量子点墨水，形成量子点层；在量子点层上形成电子传输层；在电子传输层上形成阴极层；其中，空穴传输层使用交联型材料成膜后进行交联反应形成；量子点墨水的溶剂材料适于溶解未完全交联的交联型材料；形成量子点层的步骤在交联材料的交联度在80％～90％时进行。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种QLED器件的制造方法。

背景技术

QLED(量子点发光二极管)是一种新型的显示技术，具有超薄柔性、宽视角、高对比度、低能耗等特点。喷墨打印技术被认为是制备QLED显示面板的量产制备技术，具有速度快、材料利用率高等特点。

在喷墨打印QLED器件的制备过程中，量子点层的打印尤为重要，打印成膜的均匀性会影响到器件的性能。如果量子点墨水在下层功能层(一般为空穴传输层)上铺展成膜效果不佳，则会严重影响器件性能。

发明内容

因此，本发明提供一种QLED器件的制造方法，以解决量子点墨水铺展效果不佳的问题。

本发明提供一种QLED器件的制造方法，包括以下步骤：提供阳极基板；在阳极基板上形成空穴注入层；在基板上形成空穴传输层；在形成的空穴传输层上喷墨打印量子点墨水，形成量子点层；在量子点层上形成电子传输层；在电子传输层上形成阴极层；其中，空穴传输层使用交联型材料成膜后进行交联反应形成；量子点墨水的溶剂材料适于溶解未完全交联的交联型材料；形成量子点层的步骤在交联材料的交联度在80％～90％时进行。

可选的，形成量子点层的步骤，在交联反应中交联型材料完全交联的时间点的60％～90％时开始进行。

可选的，交联反应的反应温度为150℃～250℃，交联反应中的交联型材料的完全交联时间为15min～90min。

可选的，形成量子点层的步骤中在交联反应进行至10min～80min时开始进行，反应温度为交联型材料能够发生交联反应的最低反应温度。

可选的，量子点墨水的溶剂材料适于溶解未发生交联反应的所述交联型材料。

可选的，量子点材料为镉基量子点材料、含InP量子点材料、钙钛矿量子点材料。。

本发明技术方案，具有如下优点：

1.本发明提供的QLED器件的制造方法，由于量子点墨水在交联反应未完全进行完成，即交联型材料交联度未达100％时开始进行量子点层的打印，使得量子点墨水能够一定程度上溶解少量的交联型材料，如此可以有效的提升量子点层本身与空穴传输层之间的亲和性，使得量子点层能够更好的实现铺展。此外，由于量子点层中混入少量的空穴传输层材料，一定程度上提高了向量子点层注入空穴的能力，可一定程度上提高量子点层中的电子空穴复合程度。

附图说明

为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明的QLED器件的制造方法一实施例的流程示意图；

图2～图4为本发明的QLED器件的制造方法一实施例中空穴传输层在交联反应经过不同时间后使用溶剂润洗后和未经过润洗的紫外吸收光谱对比图。

具体实施方式

下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。