[发明专利]一种新型低电阻高可靠的芯片封装材料生产工艺

权利要求书

1.一种新型低电阻高可靠的芯片封装材料生产工艺，其特征在于：包括以下份额的原材料：银包铜的芯片粘接胶、氧化铝、锆、银、硅、环氧树脂和双酚A型环氧树脂，所述银包铜的芯片粘接胶的份额为28%-38%，所述氧化铝的份额为0.3%-0.8%，所述锆的份额为0.1%-0.3%，所述银的份额为0.1%-0.6%，所述硅的份额为0.1%-0.3%，所述环氧树脂和双酚A型环氧树脂的份额为65%-66.4%。

2.根据权利要求1所述的一种新型低电阻高可靠的芯片封装材料生产工艺，其特征在于：所述银包铜的芯片粘接胶的份额为33%，所述氧化铝的份额为0.5%，所述锆的份额为0.3%，所述银的份额为0.3%，所述硅的份额为0.4%，所述环氧树脂和双酚A型环氧树脂的份额为65.5%。

3.根据权利要求1所述的一种新型低电阻高可靠的芯片封装材料生产工艺，其特征在于：所述银包铜的芯片粘接胶的份额为32.4%，所述氧化铝的份额为0.3%，所述锆的份额为0.2%，所述银的份额为0.1%，所述硅的份额为0.3%，所述环氧树脂和双酚A型环氧树脂的份额为66.7%。

4.根据权利要求1所述的一种新型低电阻高可靠的芯片封装材料生产工艺，其特征在于：包括以下步骤：

S1：银包铜的芯片粘接胶的处理：按份额准备相应的芯片粘接胶，放置备用；

S2：氧化铝的处理：取出一定量的铝土矿，将其粉碎后用高温氢氧化钠溶液浸渍，获得铝酸钠溶液，将其过滤，去掉残渣，将滤液降温并加入氢氧化铝晶体，对其长时间搅拌，使其充分融合，搅拌后，铝酸钠溶液会分解析处氢氧化铝沉淀，将沉淀分离出来洗净，将其在950-1200度的温度下煅烧，从而得到氧化铝，放置备用；

S3：锆的处理：取出一定量的锆英石，将其放置到高温炉内对其进行煅烧，高温煅烧下，会将锆英石内部多余的杂质和锆分离，将杂质去除，得到锆英砂，放置备用；

S4：银的处理：取出一定量的银矿石，将干电池的中心碳棒接在直流电源的正级作为阳级，用银矿石接在直流电源的负极作为阳极，一起插入废定影液中进行电解，从而生成纯度较高的银条，放置备用；

S5：硅的处理：取出一定量的石英砂和焦炭，将其放置在在电弧炉中制取纯度较低的粗硅，然后将粗硅转化为有挥发性并易提纯的四氯化硅或三氯氢硅，再在电炉中用氢气将其还原，得到纯度较高的硅，放置备用；

S6：环氧树脂和双酚A型环氧树脂的处理：按份额取出环氧树脂和双酚A型环氧树脂，将环氧树脂、双酚A型环氧树脂、氧化铝、锆、银和硅，将氧化铝、锆、银和硅放置到高温熔炼内进行融化，待齐融化混为一起后，对其进行冷却，然后将环氧树脂和双酚A型环氧树脂放置到模具内，再将氧化铝、锆、银和硅贴附在其表面，使其完全包裹住环氧树脂和双酚A型环氧树脂，形成芯片封装本体，放置备用；

S7：按份额将银包铜的芯片粘接胶涂抹到制好的芯片封装本体表面，此时完成低电阻高可靠的芯片封装材料生产。