[发明专利]一种局部电镀填孔的HDI板制造方法及HDI板

权利要求书

1.一种局部电镀填孔的HDI板制造方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

S1.压合铜箔：将铜箔压合在基板上，获得HDI板主体；

S2.钻孔：获取所需生产的HDI板上各孔的参数，在压合后的HDI板主体上钻孔；

S3.一次干膜：在所述HDI板主体压设绝缘干膜，并在盲孔处镂空；

S4.电镀：对需要电镀的孔位进行选择性电镀；

S5.一次退膜：电镀完成后，将所述步骤S3中压设的绝缘干膜退掉；

S6.二次干膜：在所述步骤S5中退膜后的HDI板主体上压设第二张绝缘干膜，获取需要刻蚀的图形数据，并使需要刻蚀的图形位置露出；

S7.蚀刻：将所述步骤S6中露出的部位的铜蚀刻掉，露出基材；

S8.二次退膜：将所述步骤S7中蚀刻完成的HDI板主体上的绝缘干膜去掉，得到所需的HDI板。

2.根据权利要求1的HDI板制造方法，其特征在于：

所述步骤S3包括：

S3.1前处理：去除所述HDI板主体上的胶渣、油污、碳粉；

S3.2压膜：将绝缘干膜压设在所述步骤S3.1中得到的HDI板主体上；

S3.3曝光：对所述步骤S3.2中得到的所述HDI板主体上不需要电镀上铜的位置进行曝光；

S3.4显影：用显影液冲洗所述步骤S3.3中得到的HDI板主体，露出需要电镀的孔位；

S3.5干燥：烘干所述步骤S3.4中得到的HDI板主体。

3.根据权利要求1的HDI板制造方法，其特征在于：

所述步骤S6包括：

S6.1前处理：清洗所述步骤S5得到的HDI板主体，去除有害污染物；

S6.2微蚀：将所述步骤S6.1中得到的HDI板主体放入酸性溶液，进行微蚀；

S6.3压膜：将绝缘干膜压设在所述步骤S6.2中得到的HDI板主体上；

S6.4曝光：对所述步骤S6.3中得到的所述HDI板主体上不需要电镀上铜的位置进行曝光；

S6.5显影：用显影液冲洗所述步骤S6.4中得到的HDI板主体，露出需要蚀刻的图形。

4.根据权利要求1的HDI板制造方法，其特征在于：

所述步骤S2中，采用激光镭射钻孔或者等离子体蚀刻方法制孔。

5.根据权利要求1的HDI板制造方法，其特征在于：

所述获取所需生产的HDI板上各孔的参数包括：

获取HDI板盲孔、通孔设计的尺寸参数，在所述HDI板主体上钻出盲孔、通孔。

6.根据权利要求5的HDI板制造方法，其特征在于：

钻通孔过程中，以各子板的公共靶标为依据钻出通孔；

钻盲孔过程中，以次外层的靶标为依据钻出盲孔。

7.根据权利要求6的HDI板制造方法，其特征在于：

所述公共靶标包括第一对位盲孔，所述第一对位盲孔中心处开设有第一对位通孔，所述第一对位盲孔和所述第一对位通孔同轴设置；所述第一对位盲孔和所述第一对位通孔直径不等；

所述第一对位盲孔外缘和所述第一对位通孔外缘之间还设有若干个第二对位盲孔，每个所述第二对位盲孔中心处均设有第二对位通孔。

8.根据权利要求1-7任一项所述的HDI板制造方法，其特征在于：

所述步骤S3和所述步骤S6中的绝缘干膜均采用耐电镀液腐蚀的紫外光敏高分子薄膜，所述步骤S3中的绝缘干膜厚度为35μm，所述步骤S6中的绝缘干膜厚度为50μm。

9.根据权利要求1-7任一项所述的HDI板制造方法，其特征在于：

所述步骤S4中，电镀过程采用的镀液制作过程为：

称取400g的CuSO₄·5H₂O均匀溶解于1300mL的去离子水中，然后在不断搅拌的条件下缓慢加入50mL的浓硫酸，待溶液温度降至室温后，开始顺序加入氯离子、抑制剂、加速剂、整平剂，搅拌均匀后，加适量的去离子水定容，待用。

10.一种HDI板，其特征在于，所述HDI板采用如权利要求1-9任一项所述的制造方法制成。