[发明专利]一种用于半导体加工的固态前驱体源升华装置及方法

权利要求书

1.一种用于半导体加工的固态前驱体源升华装置，其特征是，包括存储箱、安装在存储箱内的托盘、安装在托盘底部的电热温控板，托盘上密布若干用于装载固态前驱体源的储料槽，存储箱内设置若干个上下间隔布置的托盘，上下相邻两托盘之间的间隙形成通气腔，最上方的托盘和存储箱顶部之间形成通气腔，托盘一侧设有通气槽；上下相邻两托盘上的通气槽一个在托盘左侧，另一个在另一托盘的右侧，通气槽将所有通气腔连通在一起形成蛇形的通气流道；储料箱上设置载气进口、混合蒸汽出口，通气流道两端分别与载气进口、混合蒸汽出口连通；托盘呈上端开口的盒状结构，托盘内设有若干横向挡板和若干纵向挡板，若干横向挡板和若干纵向挡板交叉形成若干储料槽；横向挡板长度方向沿着通气腔气流的流动方向布设，纵向挡板上边缘高于横向挡板上边缘和托盘上边缘；纵向挡板上部设有调节板，调节板可转动设置，存储箱内安装推拉杆，调节板均与推拉杆连接，推拉杆移动带动调节板转动，调节板一侧和储料槽一一对应安装有若干根拨杆，拨杆下端置于储料槽内，存储箱外安装活塞缸，活塞缸伸缩杆上安装磁性块，存储箱内安装能和磁性块相互吸引的滑块，滑块 可在储存箱内滑动，推拉杆与滑块连接。

2.根据权利要求1所述的一种用于半导体加工的固态前驱体源升华装置，其特征是，电热温控板内安装电热丝和温度传感器。

3.根据权利要求1所述的一种用于半导体加工的固态前驱体源升华装置，其特征是，电热温控板上和通气槽对应设有连通槽，连通槽和通气槽贯通。

4.根据权利要求1所述的一种用于半导体加工的固态前驱体源升华装置，其特征是，存储箱内设有进气腔和挥发腔，托盘安装在挥发腔内，通气流道一端通过进气腔与载气进口连通，通气流道另一端与混合蒸汽出口连通。

5.根据权利要求1至4任意一项所述的一种用于半导体加工的固态前驱体源升华装置，其特征是，托盘底部设有插槽，电热温控板与插槽适配插装在一起。

6.一种用于半导体加工的固态前驱体源升华方法，其特征是，利用权利要求1至5中任意一项所述的用于半导体加工的固态前驱体源升华装置进行操作，包括以下步骤：a、在托盘上的储料槽中装入固态前驱体源，并将电热温控板安装到托盘底部；b、将托盘和电热温控板一起装入存储箱内，封闭存储箱；c、将载气进口和混合蒸汽出口连接到气相沉积系统的管路中，载气进口通入载气；d、电热温控板通电加热，电热温控板对储料槽内的固态前驱体源进行加热，使通气腔内产生稳定浓度的固态前驱体源蒸汽，通过载气将固态前驱体源蒸汽带入气相沉积系统中。