[发明专利]NAND闪存中物理块的控制方法、装置及SSD设备

说明书

本发明实施例提供了一种NAND闪存中物理块的控制方法、装置及SSD设备，所述方法包括：获取NAND闪存中失效位数大于预设限制阈值的目标物理块的当前存储模式；选取与所述当前存储模式匹配的目标存储模式，所述目标存储模式为存储位数比当前存储模式降低一位的储存模式；将所述目标物理块的存储模式转换为所述目标存储模式。本发明实施例提出的NAND闪存中物理块的控制方法、装置及SSD设备，能够将NAND闪存中的失效位数大于预设限制阈值的物理块逐级转换成存储容量相对较小但寿命更长的存储模式使用，从而减少坏块数，提高NAND闪存的使用寿命。

技术领域

本发明涉及数据存储技术领域，尤其涉及一种NAND闪存中物理块的控制方法、装置及SSD设备。

背景技术

NAND闪存物理上以块为基本重复单元记录数据，随着NAND的使用，存储器件特性退化，块中失效位数不断增加，当某物理块的失效位数超过限制N时，该物理块就会被标记成坏块。标记成坏块的物理块不能被使用，NAND闪存的容量也相应减少，随着坏块的增多，NAND闪存的寿命也会降低。

现有技术中，会将失效位数超过限制值的物理块直接标记成坏块不再用来数据存储，如此不仅造成资源浪费，也减短了NAND闪存的使用寿命。

发明内容

本发明提出了一种NAND闪存中物理块的控制方法、装置及SSD设备，以解决直接将失效位数超过限制值的物理块标记成坏块造成的存储资源浪费问题。

本发明的一个方面，提供了一种NAND闪存中物理块的控制方法，该方法包括：

获取NAND闪存中失效位数大于预设限制阈值的目标物理块的当前存储模式；

选取与所述当前存储模式匹配的目标存储模式，所述目标存储模式为存储位数比当前存储模式降低一位的储存模式；

将所述目标物理块的存储模式转换为所述目标存储模式。

进一步地，所述获取NAND闪存中失效位数大于预设限制阈值的目标物理块的当前存储模式，包括：

对NAND闪存中失效位数大于预设限制阈值的目标物理块的数量进行计数；

当目标物理块的计数值大于预设切换阈值时，获取所述目标物理块的当前存储模式。

进一步地，在所述获取NAND闪存中失效位数大于预设限制阈值的目标物理块的当前存储模式之后，所述方法还包括：

判断所述目标物理块的当前存储模式是否为单位存储单元模式；

若目标物理块的当前存储模式为单位存储单元模式，则将目标物理块标记为坏块。

进一步地，在所述将目标物理块的存储模式装换为所述目标存储模式之后，所述方法还包括：

创建存储模式转换记录表，并将目标物理块的地址标识信息以及转换后的存储模式保存在所述存储模式转换记录表。

本发明的又一个方面，提供了一种NAND闪存中物理块的控制装置，该装置包括：

获取模块，用于获取NAND闪存中失效位数大于预设限制阈值的目标物理块的当前存储模式；

选取模块，用于选取与所述当前存储模式匹配的目标存储模式，所述目标存储模式为存储位数比当前存储模式降低一位的储存模式；

控制模块，用于将所述目标物理块的存储模式转换为所述目标存储模式。

进一步地，所述获取模块包括：

计数单元，用于对NAND闪存中失效位数大于预设限制阈值的目标物理块的数量进行计数；

获取单元，用于当计数单元统计的目标物理块的计数值大于预设切换阈值时，获取所述目标物理块的当前存储模式。