[发明专利]表面等离子体共振传感器及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202111070929.8 | 申请日： | 2021-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN113930483A | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 薛冬峰;王鑫;王晓明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | C12Q1/6825 | 分类号： | C12Q1/6825 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 黄志云 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 表面 等离子体 共振 传感器 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种表面等离子体共振传感器，其特征在于，所述表面等离子体共振传感器包括：
表面等离子体共振芯片，所述表面等离子体共振芯片包括第一贵金属基体，在所述第一贵金属基体上结合有硼烯层；
贵金属-ssDNA复合物，所述贵金属-ssDNA复合物结合在所述表面等离子体共振芯片上，且所述贵金属-ssDNA复合物包括第二贵金属基体和结合在所述第二贵金属基体上的ssDNA。
2.如权利要求1所述表面等离子体共振传感器，其特征在于，所述硼烯层厚度为1-100nm；
其中，所述硼烯层包括连续分布的硼烯膜层和/或岛状分布的硼烯膜层。
3.如权利要求1或2所述表面等离子体共振传感器，其特征在于，所述硼烯层为羟基化硼烯纳米片；和/或
所述羟基化硼烯纳米片的层数为1-100层。
4.如权利要求1或2所述表面等离子体共振传感器，其特征在于，所述第一贵金属基体为Au和/或Ag的膜层；和/或
所述第二贵金属基体包括Au和/或Ag纳米棒、纳米立方、纳米片中的至少一种；和/或
所述第一贵金属基体的厚度为2nm-20μm；和/或
所述贵金属-ssDNA复合物的量在所述表面等离子体共振芯片上的负载量为0.01mol/cm2-10mol/cm2。
5.一种表面等离子体共振传感器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
制备硼烯纳米片分散液；
将所述硼烯纳米片分散液在第一贵金属基体表面进行成膜处理，获得表面等离子体共振芯片；
将ssDNA结合在第二贵金属基体上，形成贵金属-ssDNA复合物；
将所述贵金属-ssDNA复合物组装至所述表面等离子体共振芯片上，得到表面等离子体共振传感器。
6.如权利要求5所述表面等离子体共振传感器的制备方法，其特征在于，将所述硼烯纳米片分散液在第一贵金属基体表面进行成膜处理的方法包括如下步骤：
将所述硼烯纳米片分散液采用旋涂方法在第一贵金属基体表面成膜处理，获得表面等离子体共振芯片。
7.如权利要求5或6所述表面等离子体共振传感器的制备方法，其特征在于，制备所述贵金属-ssDNA复合物的方法包括：
将单链DNA与第二贵金属基体进行表面接枝处理，获得贵金属-ssDNA复合物。
8.一种核酸检测传感器，其特征在于，所述核酸检测传感器包括权利要求1-4任一项所述的表面等离子体共振传感器。
9.一种硼烯纳米片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
对硼粉与溶剂的混合物进行研磨处理，获得硼颗粒前驱体溶液；
对所述硼颗粒前驱体溶液进行超声剥离处理，获得硼烯纳米片分散液；
对所述硼烯纳米片分散液进行离心分离处理，获得目标层数的硼烯纳米片。
10.如权利要求9所述的硼烯纳米片的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：
将所述硼烯纳米片与碱性溶液进行表面改性处理，获得羟基化硼烯纳米片。
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