[发明专利]一种过压保护的模拟开关电路

说明书

本发明公开了一种过压保护的模拟开关电路，包括传输电路，以及与所述传输电路相连的控制电路和过压保护电路；所述控制电路用于产生控制信号，控制传输电路的导通或截止，用于完成信号通过传输电路进行双向传输；在所述传输电路导通或截止时，所述过压保护电路切断或者限制流经传输电路的电流。本发明能够实现切断或者限制流经传输电路的电流，减小对传输电路的损害，提高开关电路的可靠性。

技术领域

本发明属于过压保护电路技术领域，具体涉及一种过压保护的模拟开关电路。

背景技术

CMOS模拟开关电路由于具有导通电阻低、传输时间快，在信号传输、信号采集等系统中得到广泛应用，其核心开关电路由控制电路和传输电路组成如图1，控制电路由PMOS管P0和NMOS管N0组成，产生控制信号，控制传输电路的导通和截止，从而完成信号的传输。传输电路由PMOS管P1和NMOS管N1并联而成，S/D端互为信号输入、输出端，直接和I/O连接，衬底分别和VCC、VSS相连，其等效电路图如图2，PMOS管P1的S/D端等效为两个二极管D1、D2，共阴极接到衬底电压VCC，NMOS管N1的S/D端等效为两个二极管D3、D4，共阳极接到衬底电压VSS。一般电路对S/D端输入电压范围都有限制，不能超过VCC或者VSS的电压，二极管处于反偏工作状态，确保开关不因过压而损坏，但在工作时由于S/D端直接和I/O的金属丝相连，由于寄生电感相应，在S/D端产生超过VCC或者VSS的电压，使二极管处于正偏工作状态，导致传输电路的损坏，因此，需要对开关电路的S/D端进行过压保护，提高开关电路的可靠性。

发明内容

针对上述问题，本发明提出一种过压保护的模拟开关电路，能够实现切断或者限制流经传输电路的电流，减小对传输电路的损害，提高开关电路的可靠性。

为了实现上述技术目的，达到上述技术效果，本发明通过以下技术方案实现：

一种过压保护的模拟开关电路，包括传输电路，以及与所述传输电路相连的控制电路和过压保护电路；

所述控制电路用于产生控制信号，控制传输电路的导通或截止，用于完成信号通过传输电路进行双向传输；

在所述传输电路导通或截止时，所述过压保护电路切断或者限制流经传输电路的电流。

可选地，所述控制电路包括P型MOS管P0和N型MOS管N0；

所述P型MOS管P0的源极与正电源相连；

所述N型MOS管N0的源极与负电源相连；

所述P型MOS管P0和N型MOS管N0的栅极相连，形成第一输出端；

所述P型MOS管P0和N型MOS管N0的漏极相连，形成第二输出端，所述第二输出端与第一输出端产生互补的控制信号。

可选地，所述传输电路包括P型MOS管P1和N型MOS管N1；

所述P型MOS管P1的源极与N型MOS管N1的漏极相连，形成S端；

所述P型MOS管P1的漏极与N型MOS管N1的源极相连，形成D端；

所述P型MOS管P1的栅极与控制电路的第二输出端相连；

所述N型MOS管N1的栅极与控制电路的第一输出端相连；

所述P型MOS管P1和N型MOS管N1共同形成传输门结构，实现S端与D端的信号传输。

可选地，所述过压保护电路包括P型MOS管P2、N型MOS管N2、第一电阻R1、第二电阻R2和N型MOS管M0；

所述P型MOS管P2的源极与正电源相连，其栅极与所述控制电路的第一输出端相连，其漏极通过第一电阻R1与N型MOS管M0的漏极相连；