[发明专利]氧化孔生成方法及垂直腔面发射激光器有效
| 申请号： | 202111071933.6 | 申请日： | 2021-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN113809637B | 公开（公告）日： | 2023-09-08 |
| 发明（设计）人： | 郭海侠;李加伟;曼玉选;赖明智 | 申请（专利权）人： | 苏州长瑞光电有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/02 |
| 代理公司： | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 | 代理人： | 杨楠 |
| 地址： | 215000 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化 生成 方法 垂直 发射 激光器 | ||
【权利要求书】：
1.一种氧化孔生成方法，用于在垂直腔面发射激光器制备过程中，对主动区平台进行氧化处理以在所述主动区平台内的氧化限制层中间形成氧化孔；其特征在于，所述氧化处理的具体方法如下：先使用氧等离子体经由主动区平台的侧壁对氧化限制层进行干法氧化，在所述氧化限制层外缘生成一圈疏松多孔结构；然后经由所述疏松多孔结构对氧化限制层进行湿法氧化，在氧化限制层中间形成所期望的氧化孔。
2.如权利要求1所述氧化孔生成方法，其特征在于，所述干法氧化与湿法氧化的氧化深度比例为1:3~1:5。
3.如权利要求1所述氧化孔生成方法，其特征在于，所述干法氧化的工艺条件具体如下：等离子模式：RIEmode ，O2 流量：50-200sccm，等离子体生成功率：200-400W， 工艺温度≥25℃，工艺时间：10~40min。
4.如权利要求1所述氧化孔生成方法，其特征在于，使用不带辅助气体的氧气生成所述氧等离子体。
5.一种垂直腔面发射激光器，其制备过程包括对主动区平台进行氧化处理以在所述主动区平台内的氧化限制层中间形成氧化孔的步骤；其特征在于，所述氧化孔使用如权利要求1～4任一项所述方法生成。
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