[发明专利]一种生产膜电极的工艺方法

权利要求书

1.一种生产膜电极的工艺方法，其特征在于：所述工艺方法包括热转印工艺方法、热复合工艺方法、碳纸贴合工艺方法及热压工艺方法；

其中，所述热转印工艺方法包括以下步骤：

S11：对材料A及材料B进行热转印，使所述材料B上的阳极催化剂层热转印到所述材料A的质子交换膜上，形成热转印后材料A；

S12：对所述热转印后材料A及所述材料B进行辊压，使所述材料B上的阳极催化剂层与所述材料A的质子交换膜结合牢固，并对辊压后的所述热转印后材料A进行收卷；

所述热复合工艺方法包括以下步骤：

S21：制作上框架料带及下框架料带，对步骤S12收卷的所述热转印后材料A放料并裁切成片状，并将片状的所述热转印后材料A转贴到所述下框架料带的上方，并加热辊压；

S22：在所述热转印后材料A的上方设置所述上框架料带，之后，所述上框架料带、所述热转印后材料A及所述下框架料带共同进行加热辊压制成半成品料带，并对辊压后的所述半成品料带进行收卷；

所述碳纸贴合工艺方法包括以下步骤：

S31：对步骤S22收卷的所述半成品料带放料，并在所述半成品料带的上方及下方分别转贴碳纸；

S32：对转贴碳纸后的所述半成品料带进行加热及辊压复合，并裁切成一定形状的片料进行收集；

所述热压工艺方法包括以下步骤：

S41：对步骤S32收集的片料进行热压合制成膜电极成品；

所述热复合工艺方法中的上框架料带及下框架料带的制作步骤均包括：

S51：压敏胶双面胶料带、离型膜及硅保护膜料带共同进行辊压输送，辊压输送后进行边框裁切，并对裁切后的边框废料进行收卷；

S52：在边框裁切后的料带表面设置PEN热熔胶，之后对所述PEN热熔胶进行轮廓裁切，轮廓裁切后对PEN热熔胶自带膜进行收卷，轮廓裁切后的料带作为上框架料带或下框架料带；

此外，材料A是一种三层结构，包括保护膜和衬膜，保护膜和衬膜之间是质子交换膜，保护膜位于外侧，且质子交换膜与保护膜贴靠的一侧设有阴极催化剂层；

材料B是一种两层结构，包括衬膜，衬膜的内侧涂布有阳极催化剂层。

2.如权利要求1所述的一种生产膜电极的工艺方法，其特征在于：所述热转印工艺方法中，所述材料A及所述材料B在进行热转印之前，对所述材料A中与所述材料B相贴靠一侧的衬膜进行去除，所述材料A的下方及所述材料B的上方分别设置有高温布，所述高温布、所述材料A及所述材料B共同进行热转印；

在所述热转印后材料A及材料B辊压之后，对所述高温布进行收卷，同时，对失去阳极催化剂层的所述材料B进行收卷。

3.如权利要求1所述的一种生产膜电极的工艺方法，其特征在于：所述上框架料带及下框架料带的制作步骤中，辊压后的料带进行边框裁切之前，在离型膜的上方设置哑膜，并在边框裁切之后进行收卷；

在边框裁切之后，在边框裁切后料带的上方设置排废胶带，通过所述排废胶带对边框裁切后残存的废料进行收卷。

4.如权利要求1所述的一种生产膜电极的工艺方法，其特征在于：所述上框架料带及下框架料带的制作步骤中，对所述PEN热熔胶进行轮廓裁切之前，在所述硅保护膜料带的下方设置低粘膜，通过所述低粘膜对PEN热熔胶轮廓裁切后的废料进行收卷。

5.如权利要求1所述的一种生产膜电极的工艺方法，其特征在于：所述上框架料带及下框架料带的制作步骤中，所述压敏胶双面胶料带在与所述硅保护膜料带共同进入辊压之前，对所述压敏胶双面胶料带上靠近所述离型膜一侧的自带纸进行去除，在辊压之后，将所述压敏胶双面胶料带另一侧的自带纸也去除。

6.如权利要求1所述的一种生产膜电极的工艺方法，其特征在于：所述热复合工艺方法中，在片状的所述热转印后材料A与所述下框架料带转贴之前，对所述下框架料带进行加热，并在转贴之后，进行热吹风；

在对所述半成品料带进行收卷之前，对所述硅保护膜及所述PEN热熔胶的内框进行收卷，并且在所述上框架料带的上方及所述下框架料带的下方分别添加第二保护层。