[发明专利]一种材料处理方法及设备

说明书

本发明公开了一种材料处理方法及设备，涉及材料技术领域。材料处理方法包括：将置于真空腔中的待处理材料移动至第一预设位置；采用所述加热装置对所述待处理材料进行加热，所述加热装置位于所述真空腔内；将加热完成后的所述待处理材料移动至第二预设位置；采用所述冷却装置对加热完成后的所述待处理材料进行冷却，所述冷却装置位于所述真空腔内。本发明能够实现在同一个真空腔内对材料进行热处理和冷处理，并能够对热处理后的材料快速降温，以保证磁控溅射的成膜质量。

技术领域

本发明涉及材料技术领域，特别是涉及一种材料处理方法及设备。

背景技术

现有技术中，在对材料进行物理气相沉积的磁控溅射之前，需要对材料进行表面热处理，去除材料表面的杂气，提升磁控溅射成膜的质量和粘附性。

一般对材料的热处理均是在高真空环境下进行，为了达到彻底去除杂气的目的通常加热温度都比较高，这使得热处理后的材料无法快速自然冷却。而一些工艺要求比较高的领域，比如要求磁控溅射的结晶晶粒较小或要求成膜应力满足特定条件等，要满足这些要求均需要使得材料表面的温度低于一定值后才进行磁控溅射。而现有的材料表面热处理设备不具备对材料进行冷却的功能，无法满足实际的需求。

综上所述，如何实现在同一个真空腔内对材料进行热处理和冷处理，并能够对热处理后的材料快速降温，以保证磁控溅射的成膜质量，成为本领域技术人员所要解决的技术问题。

发明内容

本发明提供了一种材料处理方法及设备，能够实现在同一个真空腔内对材料进行热处理和冷处理，并能够对热处理后的材料快速降温，以保证磁控溅射的成膜质量。

本发明提供了如下方案：

一方面，本发明提供了一种材料处理方法，用于对磁控溅射前的材料进行处理，所述材料处理方法包括：

将置于真空腔中的待处理材料移动至第一预设位置；

采用所述加热装置对所述待处理材料进行加热，所述加热装置位于所述真空腔内；

将加热完成后的所述待处理材料移动至第二预设位置；

采用所述冷却装置对加热完成后的所述待处理材料进行冷却，所述冷却装置位于所述真空腔内。

可选地，所述采用所述加热装置对所述待处理材料进行加热包括：

根据所述待处理材料的加热需求调节所述加热装置的升温速率、升温时间和升温功率。

可选地，所述将加热完成后的所述待处理材料移动至第二预设位置之后，所述方法还包括：

向所述真空腔中通入预设体积的惰性气体，以加快所述待处理材料和所述冷却装置之间的热传递。

可选地，所述采用所述加热装置对所述待处理材料进行加热还包括：

实时采集所述待处理材料的第一当前温度；

判断所述第一当前温度是否大于或等于第一预设温度，若是，则停止对所述待处理材料加热。

可选地，所述采用所述冷却装置对加热完成后的所述待处理材料进行冷却包括：

实时采集所述待处理材料的第二当前温度；

判断所述第二当前温度是否小于或等于第二预设温度，若是，则停止对所述待处理材料冷却。

另一方面，本发明还提供了一种材料处理设备，用于所述的材料处理方法，所述材料处理设备包括：

真空腔；

载台，置于所述真空腔内，用于放置待处理材料；

加热装置，置于所述真空腔内，用于加热所述待处理材料；