[发明专利]显示面板和显示装置在审
申请号: | 202111076417.2 | 申请日: | 2021-09-14 |
公开(公告)号: | CN113823641A | 公开(公告)日: | 2021-12-21 |
发明(设计)人: | 王兰兰 | 申请(专利权)人: | 武汉天马微电子有限公司;武汉天马微电子有限公司上海分公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 严慧 |
地址: | 430205 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:多条数据信号线和阵列排布的多个像素电路;各条所述数据信号线沿第一方向延伸且沿第二方向依次排列;其中,所述第一方向与所述第二方向交叉;
同一列的所述像素电路中,位于奇数行的各所述像素电路共用所述数据信号线,以及位于偶数行的各所述像素电路共用所述数据信号线;分别与同一列所述像素电路中奇数行的像素电路和偶数行的像素电路电连接的两条所述数据信号线分布于该列所述像素电路的相对的两侧;
其中,位于奇数行的任一所述像素电路的至少部分结构与位于偶数行的任一所述像素电路的至少部分结构关于所述第一方向镜像对称。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:
衬底基板;
位于所述衬底基板一侧的像素电路层;所述像素电路层包括绝缘间隔的半导体层、第一金属层和第二金属层;
所述像素电路包括至少一个薄膜晶体管;所述薄膜晶体管的有源层位于所述半导体层;且位于同一列的各所述像素电路的各所述薄膜晶体管的有源层为一体结构;所述薄膜晶体管的栅极位于所述第一金属层;所述数据信号线位于所述第二金属层;
其中,位于奇数行的任一所述像素电路的所述薄膜晶体管与位于偶数行的任一所述像素电路的所述薄膜晶体管关于所述第一方向镜像对称。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,还包括:所述像素电路层还包括第三金属层;所述第三金属层分别与所述半导体层、所述第一金属层和所述第二金属层绝缘间隔;
所述像素电路还包括存储电容;所述存储电容的第一极板位于所述第三金属层;所述存储电容的第二极板位于所述第一金属层;
其中,位于奇数行的任一所述像素电路中的所述存储电容与位于所述偶数行的任一所述像素电路的所述存储电容关于所述第一方向镜像对称。
4.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述像素电路层还包括第四金属层;所述第四金属层分别与所述半导体层、所述第一金属层和所述第二金属层绝缘间隔;
所述像素电路还包括多个连接结构;所述连接结构用于电连接所述薄膜晶体管;所述连接结构位于所述第四金属层;
其中,位于奇数行的任一所述像素电路的所述连接结构与位于所述偶数行的任一所述像素电路的所述连接结构关于所述第一方向镜像对称。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,位于不同列的所述像素电路分别与不同的所述数据信号线电连接。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,与不同列的所述像素电路电连接且相邻的两条所述数据信号线构成一数据信号线组;
同一所述数据信号线组的两条数据信号线电连接的所述像素电路均为奇数行的所述像素电路;或者,同一所述数据信号线组的两条数据信号线电连接的所述像素电路均为偶数行的所述像素电路。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,还包括:多个多路分配电路、多个数据信号端子和多条时钟信号线;每个所述多路分配电路包括多个开关单元;
同一所述多路分配电路的各所述开关单元的输入端与同一所述数据信号端子电连接;同一所述多路分配电路的各所述开关单元的控制端与不同所述时钟信号线电连接;各所述多路分配电路的各所述开关单元的输出端与各条所述数据信号线一一对应电连接。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,每个所述多路分配电路包括第一开关单元、第二开关单元、第三开关单元和第四开关单元;
所述第一开关单元与位于奇数行且位于奇数列的所述像素电路对应的所述数据信号线电连接;所述第二开关单元与位于偶数行且位于奇数列的所述像素电路对应的所述数据信号线电连接;所述第三开关单元与位于奇数行且位于偶数列的所述像素电路对应的所述数据信号线电连接;所述第四开关单元与位于偶数行偶数列的所述像素电路对应的所述数据信号线电连接;
其中,所述第一开关单元、所述第二开关单元、所述第三开关单元和所述第四开关单元用于在各条所述时钟信号线传输的时钟信号的控制下依次导通。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的