[发明专利]一种二维非范德瓦尔斯晶体及其制备方法

权利要求书

1.一种二维非范德瓦尔斯晶体，其特征在于，所述二维非范德瓦尔斯晶体表面具有摩尔超晶格结构，所述摩尔超晶格结构具有由晶体学周期原子排列成六边形或近似六边形组合叠加而成的摩尔超晶格周期图案; 所述摩尔超晶格结构由两个单分子层堆叠组成；其中所述摩尔超晶格结构的叠加的两个单分子层的几何结构相同；所述摩尔超晶格结构的扭转角度为0度至±30度。

2.权利要求1所述的二维非范德瓦尔斯晶体的制备方法，其特征在于，所述二维非范德瓦尔斯晶体为二氧化钼；所述制备方法包括如下步骤：

（1）将三氧化钼纳米条带放置在内部为惰性气氛的密闭反应容器中；

（2）对密闭反应容器进行升温处理，使密闭反应容器升温至设定温度；升温过程中使所述密闭反应容器中存在硫蒸气；所述密闭反应容器中存在的所有硫蒸气的总量与所述三氧化钼纳米条带的质量比不超过1：9；

（3）升温至设定温度后保温一定时间；保温时间大于10分钟；其中所述设定温度不小于400℃；

（4）保温结束后冷却至室温后即可得到表面具有摩尔超晶格结构的二氧化钼晶体。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述硫蒸气是通过通入含硫气体实现的；和/或所述硫蒸气是通过放置在密闭反应容器中的含硫化合物升华产生的。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述含硫气体为载气和硫蒸气的混合气体，所述载气为惰性气体或氮气。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述含硫气体的通入速率为10~500sccm；和/或所述密闭反应容器的压力为10KPa~1.5atm。

6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，当硫蒸气是通过放置在密闭反应容器中的含硫化合物产生时，采用降低放置含硫化合物区域温度使其温度从200℃快速冷却的方法使其不再产生硫蒸气。

7.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述密闭反应容器中存在的硫蒸气的压力不小于1 kPa。