[发明专利]一种具有内嵌哈尔巴赫阵列永磁环的真空灭弧室触头结构在审
申请号: | 202111077207.5 | 申请日: | 2021-09-15 |
公开(公告)号: | CN113675036A | 公开(公告)日: | 2021-11-19 |
发明(设计)人: | 曹亮;刘晓明;姜文涛 | 申请(专利权)人: | 天津工业大学 |
主分类号: | H01H33/664 | 分类号: | H01H33/664 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 300387 *** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 内嵌哈尔 巴赫 阵列 永磁 真空 灭弧室触头 结构 | ||
1.一种具有内嵌哈尔巴赫阵列永磁环的真空灭弧室触头结构,总体结构包括静导电杆、静触头杯、静触头片、哈尔巴赫阵列永磁环、动触头片、动触头杯、动导电杆,其特征在于:静导电杆(1)、动导电杆(6)分别同轴连接于静触头杯(2)、动触头杯(5)顶部;静触头片(3)、动触头片(4)分别同轴连接于静触头杯(2)、动触头杯(5)底部。
2.根据权利要求1所述的内嵌哈尔巴赫阵列永磁环的真空灭弧室触头结构,其特征在于:静触头杯、动触头杯的杯壁上开有方向相同的螺旋槽,杯壁上的螺旋槽与水平面之间的夹角可以适当小一些,用以增强触头间隙的纵向磁场。
3.根据权利要求1所述的内嵌哈尔巴赫阵列永磁环的真空灭弧室触头结构,其特征在于:内嵌哈尔巴赫阵列永磁环结构与静触头杯同轴紧密相连,其外径要小于静触头杯的内径。
4.根据权利要求1所述的内嵌哈尔巴赫阵列永磁环的真空灭弧室触头结构,其特征在于:内嵌哈尔巴赫阵列永磁环采用钕铁硼材料,用于增强间隙磁感应强度值。
5.根据权利要求1所述的内嵌哈尔巴赫阵列永磁环的真空灭弧室触头结构,其特征在于:哈尔巴赫阵列永磁环由12个大小相同、充磁方向不同的永磁体组成,12块永磁体沿着圆周方向紧密排布。
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