[发明专利]一种CoWO4在审

专利信息
申请号: 202111078332.8 申请日: 2021-09-15
公开(公告)号: CN113731438A 公开(公告)日: 2021-12-03
发明(设计)人: 王思幻;徐亮;刘妮萍;吴学签;张琳;王新 申请(专利权)人: 辽宁大学
主分类号: B01J23/888 分类号: B01J23/888;C02F1/36;C02F1/72;C02F101/34;C02F101/36;C02F101/38
代理公司: 沈阳杰克知识产权代理有限公司 21207 代理人: 金春华
地址: 110000 辽宁*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 cowo base sub
【说明书】:

发明公开一种CoWO4/Cu2O复合声催化剂及其制备方法和应用。将CoWO4分散于去离子水中,搅拌10~20min后,加入CuSO4·5H2O,继续搅拌15~20min后,缓慢加入NaOH,继续搅拌10~20min,最后加入葡萄糖,搅拌30~40min,所得产物抽滤,用蒸馏水和无水乙醇洗涤,真空干燥,得CoWO4/Cu2O复合声催化剂。本发明制备的CoWO4/Cu2O复合声催化剂,Cu2O和CoWO4之间的界面电荷转移将提高电荷分离效率,从而加速水在固液界面的氧化和有机降解,是一种高效、稳定、低成本的声催化剂。

技术领域

本发明属于声催化氧化技术领域,具体涉及一种CoWO4/Cu2O复合声催化剂及其制备方法和应用。

背景技术

钨酸钴(CoWO4)是一种著名的p型半导体,带隙为2.80eV。由于CoWO4具有化学和物理稳定性、环境友好、成本低、氧化强度强等特性,在声催化过程中得到了广泛的应用。但CoWO4的催化活性受到电子空穴对快速复合的限制。为了克服这些缺点,一种有效的策略是将这种半导体与具有适当能带能量的窄带隙半导体相结合。近年来,已经证实半导体间的p-n和n-n异质结在结区产生内部电场,导致载流子有效分离。当不同价态的金属离子掺杂到纳米半导体材料时可以很大程度上提高材料的催化活性,因此,亟需一种催化活性高且成本低的声催化材料。

发明内容

本发明目的是提供一种通过表面改性来延缓载流子的复合的CoWO4/Cu2O复合声催化剂及其制备方法和应用。

本发明采用的技术方案为:一种CoWO4/Cu2O复合声催化剂的制备方法,包括如下步骤:将CoWO4分散于去离子水中,搅拌10~20min后,加入CuSO4·5H2O,继续搅拌15~20min后,缓慢加入NaOH,继续搅拌10~20min,最后加入葡萄糖,搅拌30~40min,所得产物抽滤,用蒸馏水和无水乙醇洗涤,真空干燥,得CoWO4/Cu2O复合声催化剂。

进一步的,上述的制备方法,按质量比,CoWO4:CuSO4·5H2O=1:0.1~1。

进一步的,上述的制备方法,按质量比,CuSO4·5H2O:NaOH=1:1。

进一步的,上述的制备方法,按质量比,CuSO4·5H2O:葡萄糖=5:4。

本发明提供的CoWO4/Cu2O复合声催化剂在催化降解有机污染物中的应用。

进一步的,方法如下:向含有有机污染物的废水中加入CoWO4/Cu2O复合声催化剂,超声催化。

进一步的,有机污染物的浓度为10mg/L。

进一步的,CoWO4/Cu2O复合声催化剂的加入量为1g/L。

进一步的,所述有机污染物是氧氟沙星。

本发明的有益效果是:

1、本发明,试剂廉价易得,适合扩大生产,是一种高效、稳定、低成本的声催化剂。

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