[发明专利]封装方法、封装结构及封装模块在审
申请号: | 202111079788.6 | 申请日: | 2021-09-15 |
公开(公告)号: | CN113871309A | 公开(公告)日: | 2021-12-31 |
发明(设计)人: | 吴小飞 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/54;H01L21/56;H01L23/31 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 方法 结构 模块 | ||
1.一种封装方法,其特征在于,包括:
提供基板,所述基板具有电连接层;
提供待封装裸片,所述待封装裸片具有与所述基板上的电连接层相匹配的焊盘;
将所述待封装裸片通过所述焊盘键合在所述基板的电连接层上;
在所述待封装裸片上重复沉积和刻蚀的步骤以在待封装裸片侧壁形成曲面侧墙层;
执行注塑操作,以在形成有曲面侧墙层的待封装裸片之间填充塑封材料。
2.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于,在所述待封装裸片上重复沉积和刻蚀的步骤以在待封装裸片侧壁形成曲面侧墙层之后,还包括:在所述待封装裸片顶部沉积保护层,所述保护层的厚度与所述待封装裸片厚度的比值范围为10-7~10-5。
3.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于,所述基板具有第一介质层,所述电连接层形成于所述第一介质层中;所述待封装裸片具有第二介质层,所述焊盘形成于所述第二介质层中;
所述将所述待封装裸片通过所述焊盘键合在所述基板的电连接层上,包括:
将所述待封装裸片的所述第二介质层的表面贴合所述基板的所述第一介质层的表面,且所述焊盘覆盖所述电连接层;
执行高温退火操作,以使所述焊盘与所述电连接层键合。
4.根据权利要求3所述的封装方法,其特征在于,执行高温退火操作,以使所述焊盘与所述电连接层键合,包括:
在第一温度下执行第一高温退火操作,以使所述第一介质层与所述第二介质层熔融键合;
在第二温度下执行第二高温退火操作,以使所述焊盘与所述电连接层熔融键合;其中,所述第二温度大于所述第一温度。
5.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于,所述执行注塑操作,以在形成有曲面侧墙层的待封装裸片之间填充塑封材料,包括:
在所述待封装裸片上重复预设次数的注塑和刻蚀的步骤,以在形成有曲面侧墙层的待封装裸片之间填充塑封材料且所述塑封材料覆盖所述待封装裸片。
6.根据权利要求5所述的封装方法,其特征在于,还包括:
执行平坦化操作去除部分所述塑封材料,保留的所述塑封材料与所述待封装裸片顶部平齐。
7.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于,所述方法还包括:切割所述塑封材料及所述基板,以形成多个封装模块,各所述封装模块包括一待封装裸片。
8.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于,在所述待封装裸片上重复沉积和刻蚀的步骤以在待封装裸片侧壁形成曲面侧墙层,包括:
在所述待封装裸片上沉积绝缘材料层,所述绝缘材料层覆盖所述待封装裸片的侧壁和顶面,以及所述待封装裸片之间基板的顶面;
部分刻蚀所述沉积绝缘材料层,以去除所述待封装裸片和所述基板的顶面的绝缘材料层。
9.一种封装结构,其特征在于,包括:
基板,所述基板具有电连接层;
多个待封装裸片,所述多个待封装裸片具有与所述基板上的电连接层相匹配的焊盘,所述多个待封装裸片通过所述焊盘键合在所述基板的电连接层上;
曲面侧墙层,形成于所述待封装裸片的侧壁;
封装层,填充于各所述待封装裸片之间。
10.根据权利要求9所述的封装结构,其特征在于,还包括:保护层,所述保护层位于所述待封装裸片顶部,所述保护层的厚度与所述待封装裸片厚度的比值范围为10-7~10-5。
11.根据权利要求9所述的封装结构,其特征在于,所述基板具有第一介质层,所述电连接层形成于所述第一介质层中;所述待封装裸片具有第二介质层,所述焊盘形成于所述第二介质层中。
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