[发明专利]低Cd电触头增强相材料、低Cd银基复合电触头材料及制备方法有效
申请号: | 202111079978.8 | 申请日: | 2021-09-15 |
公开(公告)号: | CN113764211B | 公开(公告)日: | 2023-09-26 |
发明(设计)人: | 丁健翔;张凯歌;夏欣欣;程宇泽;汪恬昊;丁宽宽;张培根;杨莉;陈立明;冉松林;柳东明;张世宏;孙正明 | 申请(专利权)人: | 安徽工业大学 |
主分类号: | H01H1/021 | 分类号: | H01H1/021;H01H1/023;H01H11/04;B22F9/04;B22F1/14;C22C1/047;C22C5/10;C22C20/00 |
代理公司: | 北京东方盛凡知识产权代理有限公司 11562 | 代理人: | 陈光磊 |
地址: | 243032 安徽省马鞍山市花山区安徽工*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | cd 电触头 增强 材料 复合 制备 方法 | ||
1.一种低Cd电触头增强相材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
S1:按摩尔比称取Ti粉、Cd粉;
S2:将步骤S1中Ti粉、Cd粉末充分混合,得到均匀混合粉末;
S3:将步骤S2中混合物粉末在惰性气体保护下烧结,以一定升温速率加热到设定温度并保温一段时间;
S4:将步骤S3中烧结的样品取出,磨粉过筛即可得到低Cd电触头增强相材料;
所述增强相材料元素为Ti2Cd颗粒,为类球形,颗粒尺寸为1-50μm;
步骤S3中所述惰性气体为Ar气或N2气,升温速率为3-30℃/min,设定温度为300-1200℃,保温时间为0.5-4h。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤S1中所述Ti粉的纯度大于90%,粒径为1-100μm;Cd粉的纯度大于90%,粒径为1-200μm;Ti:Cd摩尔比为(2-2.9):(1-1.75)。
3.一种低Cd银基复合电触头材料,其特征在于,由权利要求1或2所述制备方法得到的低Cd电触头增强相材料制备得到。
4.根据权利要求3所述的低Cd银基复合电触头材料,其特征在于,Ag基占所述低Cd银基复合电触头材料质量百分比为50%-95%,增强相材料占所述低Cd银基复合电触头材料质量百分比为5%-50%。
5.一种权利要求3或4所述的低Cd银基复合电触头材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
S1:按质量百分比称取Ag粉、所制备的Ti2Cd粉、介质液体和研磨球;
S2:将步骤S1中称量的粉末、介质液体和研磨球在球磨机中进行混合,将球磨后混合物干燥,得到混合料;
S3:将步骤S2中的混合料置于可通电模具中,通过调节电流大小控制模具温度;
S4:将步骤S3中的混合粉在惰性气体保护下通过动态压烧技术制备复合块体材料。
6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,步骤S1中所述Ag粉纯度大于90%,粒径为1-100μm;Ti2Cd粉纯度大于90%,粒径为1-50μm;介质液体包含酒精、丙酮和去离子水,其中酒精、丙酮纯度均大于95%,去离子水电阻率为1-5μS/cm;研磨球直径1-8mm;研磨球:介质液体:粉料质量比为(1-3):(0.5-3):1;步骤S3中通电电流大小为6-24A,升温速率为5-25℃/min,模具温度为300-800℃。
7.权利要求3或4所述的低Cd银基复合电触头材料在制备低压开关中的应用。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽工业大学,未经安徽工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111079978.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。