[发明专利]集成电路装置在审
| 申请号： | 202111080131.1 | 申请日： | 2021-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN113658935A | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 王奎;周猛 | 申请（专利权）人： | 苏州日月新半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 215021 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成电路 装置 | ||
1.一种集成电路装置，其特征在于，包括：
载板；
胶层，涂覆于所述载板之上，其中所述胶层包括铜浆，所述胶层的厚度在5-35微米的范围，所述铜浆的粘度系数在10000-30000cPs的范围，所述铜浆的触变指数在1.5-3的范围；以及
集成电路芯片，通过所述胶层粘接于所述载板之上。
2.如权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，所述铜浆为高分子抗氧化铜浆。
3.如权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，所述铜浆包括奈米抗氧化铜粉。
4.如权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，所述铜浆的粘度系数是15880cPs。
5.如权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，所述铜浆的触变指数是2.12。
6.如权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，所述胶层的导热系数大于15W/m·K。
7.如权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，所述胶层的厚度在15-35微米的范围。
8.如权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，所述集成电路芯片的厚度大于200微米，所述胶层的溢出高度在所述集成电路芯片的厚度的20％-80％的范围。
9.如权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，所述集成电路芯片的厚度大于200微米，所述胶层的溢出高度在所述集成电路芯片的厚度的40％-60％的范围。
10.如权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，所述集成电路芯片的厚度在100-200微米的范围，所述胶层的溢出高度在所述集成电路芯片的厚度的20％-90％的范围。
11.如权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，所述集成电路芯片的厚度在100-200微米的范围，所述胶层的溢出高度在所述集成电路芯片的厚度的30％-80％的范围。
12.如权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，所述集成电路芯片的厚度小于100微米，所述胶层的溢出高度小于所述集成电路芯片的厚度。
13.如权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，所述集成电路芯片的厚度小于100微米，所述胶层的溢出高度小于所述集成电路芯片的厚度的95％。
14.如权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，所述集成电路芯片的尺寸小于或等于2毫米*2毫米，放置在所述胶层上的所述集成电路芯片的芯片倾斜小于10微米。
15.如权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，所述集成电路芯片的尺寸小于或等于2毫米*2毫米，放置在所述胶层上的所述集成电路芯片的芯片倾斜小于7微米。
16.如权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，所述集成电路芯片的尺寸大于2毫米*2毫米，放置在所述胶层上的所述集成电路芯片的芯片倾斜小于20微米。
17.如权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，所述集成电路芯片的尺寸大于2毫米*2毫米，放置在所述胶层上的所述集成电路芯片的芯片倾斜小于15微米。
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