[发明专利]一种改进pvt法生长碳化硅单晶的热场结构在审
| 申请号： | 202111080508.3 | 申请日： | 2021-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN113774487A | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209 | 代理人： | 韩立岩 |
| 地址： | 150000 黑龙江省哈尔滨市松北区智谷二街3*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改进 pvt 生长 碳化硅 结构 | ||
1.一种PVT法生长大尺寸化硅单晶的改进热场结构。该结构整体由侧面保温结构、底部保温结构、籽晶固定结构、感应线圈两个、si原料用的坩埚、c原料用的坩埚、升华气体输送管道构成，其特征在于：侧面保温结构呈圆环形，是由多层石墨纤维砖结构搭接而成，底部保温结构边缘与侧面保温结构相连接，该结构呈圆台形，籽晶固定结构位于热场顶部，si坩埚位于保温材料内部左侧，c坩埚位于保温材料内部右侧，；两个感应线圈分别环绕与两个坩埚的外壁，升华气体管道分别连接两坩埚顶部的中心位置，气体出口位于两坩埚升华管道的交汇处。
2.根据权利要求1所述的一种PVT法生长大尺寸化硅单晶的改进热场结构，其特征在于侧面保温结构为圆环形，是由多层石墨纤维砖结构搭接而成，其内径为Φ200～Φ240mm，外径为Φ280～Φ300mm。
3.根据权利要求1所述的一种PVT法生长大尺寸化硅单晶的改进热场结构，其特征在于底部保温结构位于热场底层，底部保温结构侧壁与侧面保温结构相切，该结构呈圆台形，直径为Φ180～Φ210mm，厚度为30-60mm。
4.据权利要求1所述的一种PVT法生长大尺寸化硅单晶的改进热场结构，其特征在于圆台形籽晶固定结构，位于热场顶层，直径为Φ100-130mm，厚度为20-60mm。
5.据权利要求1所述的一种PVT法生长大尺寸化硅单晶的改进热场结构，其特征在于，感应线圈环绕于两坩埚的外壁，线径为10-40mm，高度为200-300mm，移动行程为50-70mm。
6.据权利要求1所述的一种PVT法生长大尺寸化硅单晶的改进热场结构，其特征在于，装si原料与c原料的两个坩埚位于热场底部左右两侧，每个坩埚顶部安置升华气体的输送管道，两管道在籽晶底部交汇。
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