[发明专利]基于分割建模的CICC导体正交各向异性材料特性赋予方法

权利要求书

1.一种基于分割建模的CICC导体正交各向异性材料特性赋予方法，其特征在于：它包括如下步骤：

步骤一、基于ANSYS-APDL创建包含电缆、铠甲层及匝间绝缘层的背场磁体线圈单胞模型，将匝间绝缘层切割为2个水平段、2个竖直段以及4个圆弧段；

步骤二、将步骤一创建的单胞模型进行水平方向和竖直方向阵列，获得绕组模型；

步骤三、基于笛卡尔坐标系分别对所有背场磁体匝间绝缘层的水平段及竖直段的匝间绝缘层施加正交各向异性材料特性；

步骤四、将工作平面平移至圆弧段匝间绝缘层A2的圆心，提取与圆弧段绝缘A2具有相同拓扑结构的相邻单胞匝间绝缘圆弧段的面编号以及该圆弧面的圆心坐标Ⅱ，完成工作平面平移，生成新的局部坐标系，完成相应圆弧面A2正交各向异性材料特性的赋予；

步骤五、重复步骤四，完成匝间绝缘层圆弧段A4、A6、A8以及与匝间绝缘层圆弧段A4、A6、A8具有相同拓扑结构的其它单胞匝间绝缘层圆弧段正交各向异性材料特性的赋予。

2.根据权利要求1所述的基于分割建模的CICC导体正交各向异性材料特性赋予方法，其特征在于：步骤三中，对所有上部水平段、所有下部水平段、所有右侧竖直段及所有左侧竖直段分别施加正交各向异性材料特性。

3.根据权利要求1或2所述的基于分割建模的CICC导体正交各向异性材料特性赋予方法，其特征在于：步骤三中，先选择背场磁体匝间绝缘层的所有右侧竖向段，并基于笛卡尔坐标系Ⅰ对所有的右侧竖向匝间绝缘层施加正交各向异性材料特性；然后选择背场磁体匝间绝缘层的所有上部水平段，将笛卡尔坐标系Ⅰ逆时针旋转90°，并基于旋转后的笛卡尔坐标系对所有上部水平匝间绝缘层施加正交各向异性材料特性；再选择背场磁体匝间绝缘层的所有左侧竖向段，将笛卡尔坐标系Ⅰ逆时针旋转180°，并基于旋转后的笛卡尔坐标系对所有左侧竖向匝间绝缘层施加正交各向异性材料特性；最后，选择背场磁体匝间绝缘层的所有下部水平段，将笛卡尔坐标系Ⅰ逆时针旋转270°，并基于旋转后的笛卡尔坐标系对所有下部水平匝间绝缘层施加正交各向异性材料特性。

4.根据权利要求1所述的基于分割建模的CICC导体正交各向异性材料特性赋予方法，其特征在于：步骤四中的与圆弧段绝缘A2具有相同拓扑结构的相邻单胞匝间绝缘圆弧段的面编号以及该圆弧面的圆心坐标均基于Fortran语言通过三重嵌套*DO循环提取。