[发明专利]复合烧结体、半导体制造装置构件及复合烧结体的制造方法

权利要求书

1.一种复合烧结体，其特征在于，

具备以陶瓷为主材料的基材和配置于所述基材的内部或表面的电极，

所述电极包含钨和氧化锆，

在所述电极中，通过X射线衍射法得到的所述钨与所述氧化锆的主峰的强度比为0.90以上且小于0.96，

所述电极中的所述钨和所述氧化锆的合计含有率为100体积%，

所述基材的主材料为氧化铝，所述基材中的所述氧化铝的含有率为99质量%以上且100质量%以下。

2.根据权利要求1所述的复合烧结体，其特征在于，

所述电极与所述基材的热膨胀系数之差的绝对值在40℃以上且1000℃以下的范围内为0.5ppm/℃以下。

3.根据权利要求1或2所述的复合烧结体，其特征在于，

所述电极在室温下的电阻率为3.5×10^-5Ω・cm以下。

4.根据权利要求1或2所述的复合烧结体，其特征在于，

所述氧化锆的烧结粒径为0.7μm以上且3.0μm以下。

5.根据权利要求1或2所述的复合烧结体，其特征在于，

所述氧化锆的烧结粒径与所述钨的烧结粒径之差的绝对值为0.5μm以下。

6.一种半导体制造装置构件，是在半导体制造装置中使用的半导体制造装置构件，其特征在于，使用权利要求1~5中任一项所述的复合烧结体来制作，所述基材为圆板状，在所述基材的主面上载置半导体基板。

7.一种复合烧结体的制造方法，其特征在于，具备：

a）准备第一构件及第二构件的工序，所述第一构件及第二构件是以陶瓷为主材料的成型体、预烧体或烧结体；

b）在所述第一构件上配置含有钨及氧化锆的电极或所述电极的前体后，将所述第二构件层叠而形成层叠体的工序；以及

c）对所述层叠体进行热压烧成的工序，

在所述电极中，通过X射线衍射法得到的所述钨与所述氧化锆的主峰的强度比为0.90以上且小于0.96，

所述电极中的所述钨和所述氧化锆的合计含有率为100体积%，

所述成型体、预烧体或烧结体的主材料为氧化铝，所述成型体、预烧体或烧结体中的所述氧化铝的含有率为99质量%以上且100质量%以下。

8.根据权利要求7所述的复合烧结体的制造方法，其特征在于，

所述c）工序结束后的所述电极与所述第一构件及所述第二构件的热膨胀系数之差的绝对值在40℃以上且1000℃以下的范围内为0.5ppm/℃以下。

9.根据权利要求7或8所述的复合烧结体的制造方法，其特征在于，

所述c）工序中的烧成温度为1550℃以上且1650℃以下。