[发明专利]一种低介电聚酰亚胺基复合薄膜及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种低介电聚酰亚胺基复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤(1)、采用4,4'-二氨基二苯醚和均苯四甲酸二酐制备聚酰亚胺酸溶液；

步骤(2)、将纳米笼型苯基倍半硅氧烷加入至步骤(1)的聚酰亚胺酸溶液中，于冰浴环境下搅拌2-3h，得到混合液；

步骤(3)、将步骤(2)的混合液均匀涂覆成膜后，将涂膜后的玻璃片置于真空干燥箱内，于真空条件下，于60-70℃下保温10h，100-120℃下保温6h，200-210℃下保温6h，300-330℃下保温2h，然后冷却至室温，得到低介电聚酰亚胺基复合薄膜；

所述纳米笼型苯基倍半硅氧烷在低介电聚酰亚胺基复合薄膜中的质量分数为5-30％。

2.根据权利要求1所述的一种低介电聚酰亚胺基复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，纳米笼型苯基倍半硅氧烷在低介电聚酰亚胺基复合薄膜中的质量分数为15-25％。

3.根据权利要求1所述的一种低介电聚酰亚胺基复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，纳米笼型苯基倍半硅氧烷在低介电聚酰亚胺基复合薄膜中的质量分数为25％。

4.根据权利要求1所述的一种低介电聚酰亚胺基复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中聚酰亚胺酸溶液的黏度系数为9000-10000CP。

5.根据权利要求1所述的一种低介电聚酰亚胺基复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，聚酰亚胺酸溶液按照如下步骤制备：于氩气气氛中，将4,4'-二氨基二苯醚溶解于非极性溶剂中，然后加入均苯四甲酸二酐，冰浴环境下搅拌6-8h，得到聚酰亚胺酸溶液。

6.根据权利要求5所述的一种低介电聚酰亚胺基复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述非极性溶剂选自N,N'-二甲基甲酰胺或N,N'-二甲基乙酰胺。

7.根据权利要求5所述的一种低介电聚酰亚胺基复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述聚酰亚胺酸溶液中，4,4'-二氨基二苯醚与均苯四甲酸二酐的摩尔比为1:1，4,4'-二氨基二苯醚和均苯四甲酸二酐的总固含量为10％。

8.一种权利要求1-7任一项所述的制备方法制得的低介电聚酰亚胺基复合薄膜，其特征在于，当纳米笼型苯基倍半硅氧烷在低介电聚酰亚胺基复合薄膜中的质量分数为25％时，在100-10⁶Hz频率测试范围内，测得其介电常数：2.2≤k≤2.5，介电损耗因子0.0011≤D≤0.0073。

9.一种权利要求8所述的低介电聚酰亚胺基复合薄膜在制备电子器件封装材料及在制备集成电路的层间介质材料中的应用。