[发明专利]一种n型碲化铋基热电材料及其制备方法与应用在审
申请号: | 202111081729.2 | 申请日: | 2021-09-15 |
公开(公告)号: | CN113800480A | 公开(公告)日: | 2021-12-17 |
发明(设计)人: | 苏紫珊;蔡新志;朱刘;童培云 | 申请(专利权)人: | 先导薄膜材料(广东)有限公司 |
主分类号: | C01B19/00 | 分类号: | C01B19/00 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 颜希文;郝传鑫 |
地址: | 511517 广东省清*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 型碲化铋基 热电 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种n型碲化铋基热电材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)将原料Bi、原料Te和原料Se按Bi2Te3-xSex,0.15≤x≤0.5配料加入玻璃管中抽真空密封;
(2)将抽真空密封的玻璃管放入摇摆炉中进行熔炼,熔炼结束后,将玻璃管取出竖直放置冷却,得到碲化铋基合金锭;
(3)将碲化铋基合金锭放入气雾化设备中,将雾化室抽真空后通入雾化气体进行洗炉;
(4)洗炉结束后,进行升温熔炼,待碲化铋基合金锭完全熔化成熔体保温精炼,然后将温度升温至雾化温度,将喷嘴加热,启动雾化气体,当达到气雾化压力时,开始进行雾化;
(5)雾化结束后,冷却至室温得到所述n型碲化铋基热电材料。
2.如权利要求1所述n型碲化铋基热电材料的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中,原料Bi的纯度≥99.99%,原料Te的纯度≥99.999%,原料Se的纯度≥99.995%。
3.如权利要求1所述n型碲化铋基热电材料的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)中,熔炼的具体步骤包括如下:将摇摆炉中的玻璃管在680-720℃下先预热5-6min,然后熔炼5-7min取出摇匀后,再精炼2-3min。
4.如权利要求1所述n型碲化铋基热电材料的制备方法,其特征在于,所述步骤(3)中,雾化气体为氩气、氮气中的一种。
5.如权利要求1所述n型碲化铋基热电材料的制备方法,其特征在于,所述步骤(4)中,升温速率为10-15℃/min,熔炼温度为630-650℃,保温精炼时间为5-8min。
6.如权利要求1所述n型碲化铋基热电材料的制备方法,其特征在于,所述步骤(4)中,雾化温度为690~710℃;喷嘴加热的温度为350~450℃。
7.如权利要求1所述n型碲化铋基热电材料的制备方法,其特征在于,所述步骤(4)中,气雾化压力为0.8~1.0MPa,喷嘴的直径为3-4mm。
8.如权利要求1所述n型碲化铋基热电材料的制备方法,其特征在于,所述步骤(5)中,雾化结束后,关闭雾化气体和喷嘴加热功率,保持雾化气体压力为0.01-0.03MPa进行冷却。
9.采用如权利要求1-8任一项所述n型碲化铋基热电材料的制备方法制备的n型碲化铋基热电材料。
10.如权利要求9所述n型碲化铋基热电材料作为3D打印材料应用于3D打印中。
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