[发明专利]一种低温共烧陶瓷粉体及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种低温共烧陶瓷粉体，其特征在于，所述低温共烧陶瓷粉体的原料组成为xRO-yM₂O₃-zXO₂；其中，R为Mg、Ca、Ba、Zn、Cu、Pb中的至少一种，M为B、Al、Co、In、Bi、Nd、Sm、La中的至少一种，X为Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Hf中的至少一种，0≤x≤85wt%，15wt%≤y≤90wt%，10wt%≤z≤85wt%，且x+y+z =1；所述低温共烧陶瓷粉体是经过高温熔融、淬火处理和再析晶处理得到，所述高温熔融的温度为1200℃～1600℃，所述再析晶处理的温度为500～900℃。

2.根据权利要求1所述的低温共烧陶瓷粉体，其特征在于，当R包括Mg、Ca、Ba元素中的至少一种和Zn、Cu、Pb元素中的至少一种，M包括B、Co、In、Bi元素中的至少一种和Al、Nd、Sm、La元素中的至少一种，X为Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Hf元素中的至少一种，且0≤x≤50wt%，40wt%≤y≤90wt%，10wt%≤z≤60wt%时，所述低温共烧陶瓷粉体为低软化点玻璃再析晶材料。

3.根据权利要求2所述的低温共烧陶瓷粉体，其特征在于，所述低温共烧陶瓷粉体的熔点＜850℃，优选≤750℃。

4.根据权利要求1所述的低温共烧陶瓷粉体，其特征在于，当R为Mg、Ca、Ba、Zn、Cu元素中的至少一种，M为B、Al、Co、In、Bi、Nd、Sm、La元素中的至少一种，X为Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Hf元素中的至少一种，0≤x≤70wt%，15wt%≤y＜40wt%，15wt%≤z≤85wt%；所述低温共烧陶瓷粉体为高软化点玻璃再析晶材料。

5.根据权利要求4所述的低温共烧陶瓷粉体，其特征在于，所述低温共烧陶瓷粉体的熔点≥850℃，优选≥950℃。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的低温共烧陶瓷粉体，其特征在于，所述低温共烧陶瓷粉体的平均粒径为0.5微米～3微米，最大粒径≤15微米。

7.一种权利要求1-6中任一项所述的低温共烧陶瓷粉体的制备方法，其特征在于，包括：

（1）按照所述低温共烧陶瓷粉体的化学组成，分别称量RO粉体、M₂O₃粉体、XO₂粉体并混合，作为原料粉体；

（2）将原料粉体先在1200℃～1600℃下高温熔融后，再经淬火处理和二次粉碎，得到玻璃粉体；

（3）将所得玻璃粉体在500～900℃下进行再析晶处理，得到所述低温共烧陶瓷粉体。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述淬火处理的方式为水淬；所述再析晶处理的时间为4～8小时，优选为6小时；所述再析晶处理的温度优选为600～800℃。

9.一种低温共烧陶瓷材料，其特征在于，将权利要求1-6中任一项所述的低温共烧陶瓷粉体成型处理后在750℃～950℃下烧结得到。

10.一种低温共烧陶瓷材料，其特征在于，选用权利要求2所述的低温共烧陶瓷粉体作为低软化点玻璃再析晶材料，权利要求4所述的低温共烧陶瓷粉体作为高软化点玻璃再析晶材料，混合后成型处理，在850℃～950℃下烧结得到；优选地，所述低软化点玻璃再析晶材料的质量不超过低软化点玻璃再析晶材料和高软化点玻璃再析晶材料总质量的20wt%，更优选不超过15wt%。