[发明专利]一种防止变压器磁饱和的MOS管驱动开关装置

权利要求书

1.一种防止变压器磁饱和的MOS管驱动开关装置，其特征在于包括开关电路、光耦隔离电路、共射极推挽驱动装置和变压器整流装置，所述开关电路为降压电路，所述降压电路用于对输入的直流电流进行降压，得到正电压信号输出，所述光耦隔离电路采用光耦进行信号隔离，用于按照设定的传输比，对输入的控制信号V1i进行隔离传输，输出隔离后得到电流放大的控制信号V2i，所述共射极推挽驱动装置将控制信号V2i输入推挽电路进行电流放大作为降压电路的开关控制信号，所述变压器整流装置将输入端正负直流电源转化为直流电源给共射极推挽电路和光耦隔离电路进行供电。

2.根据权利要求1所述的一种防止变压器磁饱和的MOS管驱动开关装置，其特征在于所述光耦隔离电路包括三极管开关电路和光耦芯片，所述三极管开关电路根据控制信号V1i通过三极管进行电流放大，驱动二极管得到V2i，所述光耦芯片为高速光耦芯片，用于按照设定的传输比，对输入的正电压信号V2i采用二极管隔离传输，输出隔离后的正电压信号V3i；所述三极管的C极与光耦芯片A极连接，E极与光耦芯片B极相连，三极管的B极接控制信号。

3.根据权利要求2所述的一种防止变压器磁饱和的MOS管驱动开关装置，其特征在于所述共射极推挽驱动装置包括滤波电路、共射极推挽电路和钳位电路，所述滤波电路用于将输入模拟信号Vi1进行高频滤波后，按照设定的压缩比进行幅度压缩，输出幅度压缩后的数字信号V2i；所述滤波电路包括电容C2和稳压管Z1，所述电容C2一端和光耦芯片VCC连接，电阻R3为限流电阻，一端与电容C2连接，另一端与三极管Q3基极连接，所述稳压管Z1的K端与三极管Q3的C极连接，A端与三极管Q4的E极连接；所述共射极推挽电路数字信号V2i通过共射电路进行电流放大，电压幅值保持不变驱动MOS管的VGS电压V3i；所述钳位电路使得输出保证在某个特定的电压幅值V4，保证了V4i的幅度范围不大于光耦工作线性区的幅度范围。

4.根据权利要求3所述的一种防止变压器磁饱和的MOS管驱动开关装置，其特征在于所述降压电路包括电感L、电容C1、快恢复二极管D1和MOS管Q1，所述MOS管Q1的D极与输入电源连接，G极与三极管Q4的基极连接，S极与电感L一端连接，电感L的另一端与电解电容C1的正极连接，电解电容C1的负极与快恢复二极管D1的A极连接，二极管D1的K极与MOS管Q1的S极连接。

5.根据权利要求1-4任意一项所述的一种防止变压器磁饱和的MOS管驱动开关装置，其特征在于所述变压器整流装置包括中心抽头变压器，整流桥，所述中心抽头变压器将正负相间的双电源变成正负的单电源；所述整流桥将正负的单电源变成直流电。