[发明专利]薄膜沉积设备及其镀膜方法、真空镀膜机

说明书

本申请涉及一种薄膜沉积设备及其镀膜方法、真空镀膜机，所述薄膜沉积设备包括：设于真空室内的电子束热蒸发系统和磁控溅射系统；其中，电子束热蒸发系统设于工件盘的下部，磁控溅射系统设于工件盘的上部；工件盘用于放置被镀膜的基片；电子束热蒸发系统用于通过热蒸发方式对基片的下表面进行薄膜沉积；磁控溅射系统用于通过溅射方式对基片的上表面进行薄膜沉积；在镀膜过程中，工件盘转动基片，电子束热蒸发系统在第一真空状态下对基片的下表面进行薄膜沉积，磁控溅射系统在第二真空状态下对基片的上表面进行薄膜沉积；该技术方案，在一个工序中分别完成薄膜沉积主要工序和增透薄膜工艺组合流程，从而简化了薄膜沉积工序，提高了薄膜沉积效率。

技术领域

本申请涉及真空镀膜机技术领域，特别是一种薄膜沉积设备及其镀膜方法、真空镀膜机。

背景技术

真空镀膜技术一般分为两大类，即化学气相沉积(CVD)技术和物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)技术，对于物理气相沉积镀膜技术又可以主要分为三类：即真空蒸发镀膜、真空溅射镀膜和真空离子镀膜等；相应的沉积方法包括真空蒸镀、溅射镀膜、电弧等离子体镀、离子镀膜和分子束外延等等；对应的真空镀膜设备包括真空蒸发镀膜机、真空溅射镀膜机和真空离子镀膜机等。

在日常镀膜中，部分基片需要进行多个工序进行镀膜，例如当需要对基片进行双面薄膜沉积时，通常采用一个薄膜沉积主工序和一个增透膜工艺工序，在进行薄膜沉积时，一般是使用电子枪蒸发系统沉积薄膜工序和磁控溅射薄膜沉积工序，先进行电子枪蒸发对基片的一个面进行薄膜沉积，在完成这个面的薄膜沉积后，打开真空室翻转基片，再通过磁控溅射薄膜沉积相应工序对基片的另一个面进行薄膜沉积。

由此可见，如上述薄膜沉积技术方案，当需要应用到进行双面薄膜沉积的场景时，需要进行多道工序，操作复杂，效率低。

发明内容

基于此，有必要针对上述至少一种技术缺陷，提供一种薄膜沉积设备及其镀膜方法、真空镀膜机，以简化双面薄膜沉积中的操作，提高效率。

一种薄膜沉积设备，包括：设于真空室内的电子束热蒸发系统和磁控溅射系统；其中，所述电子束热蒸发系统设于工件盘的下部，所述磁控溅射系统设于工件盘的上部；

所述工件盘用于放置被镀膜的基片；

所述电子束热蒸发系统用于通过热蒸发方式对所述基片的下表面进行薄膜沉积；

所述磁控溅射系统用于通过溅射方式对所述基片的上表面进行薄膜沉积；

在镀膜过程中，所述工件盘转动基片，所述电子束热蒸发系统在第一真空状态下对所述基片的下表面进行薄膜沉积，所述磁控溅射系统在第二真空状态下对所述基片的上表面进行薄膜沉积。

在一个实施例中，所述磁控溅射系统安装在可调底座上；

其中，所述可调底座用于调整所述磁控溅射系统与基片的角度和距离，以对不同形状的基片进行薄膜沉积。

在一个实施例中，所述磁控溅射系统采用可拆卸方式安装在所述可调底座上，或者所述可调底座通过可拆卸方式安装在真空室顶部。

在一个实施例中，所述工件盘的转动方式包括单轴旋转、行星旋转或者一维运动；所述工件盘的结构是平面结构或者球面结构。

在一个实施例中，所述电子束热蒸发系统包括至少两个电子枪及其对应的坩埚；其中，所述电子枪布设在真空室的底部，所述坩埚分别用于存放不同的镀膜材料，所述电子枪分别对相应的镀膜材料进行加热蒸发进行薄膜沉积。

在一个实施例中，所述的薄膜沉积设备，还包括分别连接所述工件盘、电子束热蒸发系统、磁控溅射系统和/或可调底座的控制系统；

所述控制系统用于控制所述工件盘旋转、控制所述电子束热蒸发系统进行薄膜沉积、控制所述磁控溅射系统进行薄膜沉积和/或控制所述可调底座进行角度调整。