[发明专利]一种STC高效率拓扑均流电路、实现方法及装置在审

专利信息
申请号: 202111082036.5 申请日: 2021-09-15
公开(公告)号: CN113746329A 公开(公告)日: 2021-12-03
发明(设计)人: 李志平 申请(专利权)人: 苏州浪潮智能科技有限公司
主分类号: H02M3/07 分类号: H02M3/07
代理公司: 济南舜源专利事务所有限公司 37205 代理人: 张营磊
地址: 215100 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 stc 高效率 拓扑 流电 实现 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种STC高效率拓扑均流电路,其特征在于,包括负载和若干并联的STC模块;

各STC模块的输出端连接,并与负载第一端连接,负载第二端接地;

每个STC模块包括外接电源、LC支路、充电开关单元、放电开关单元和输出电容;

充电开关单元控制外接电源向LC支路充电的同时,向输出电容和负载供电;

放电开关单元控制LC支路向输出电容和负载放电;

充电开关单元与放电开关单元交替工作;

LC支路包括第一电容、电感和变压器;

第一电容、电感及变压器一次侧串联;

各STC模块的变压器二次侧形成串联回路,实现均流。

2.如权利要求1所述的STC高效率拓扑均流电路,其特征在于,STC模块中变压器采用等比变压器,变压器一次侧匝数与二次侧匝数相等。

3.如权利要求1所述的STC高效率拓扑均流电路,其特征在于,充电开关单元包括充电控制器、第一MOS管和第二MOS管;

充电控制器与第一MOS管的栅极及第二MOS管的栅极连接;

第一MOS管的漏极与外接电源正极连接,外接电源负极接地,第一MOS管的源极与LC支路的第一端连接;

第二MOS管的源极与LC支路的第二端连接,第二MOS管的漏极与输出电容正极及STC模块输出端及负载第一端连接,输出电容负极接地。

4.如权利要求3所述的STC高效率拓扑均流电路,其特征在于,放电开关单元包括放电控制器、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管以及第二电容;

放电控制器与第三MOS管的栅极、第四MOS管的栅极以及第五MOS管的栅极连接;

第三MOS管的漏极与LC支路的第一端连接,第三MOS管的源极与第二电容的正极连接;

第四MOS管的漏极与LC支路的第二端连接,第四MOS管的源极接地;

第五MOS管的源极与第二电容的负极连接,第五MOS管的漏极与输出电容正极及STC模块输出端及负载第一端连接。

5.如权利要求4所述的STC高效率拓扑均流电路,其特征在于,各STC模块的输出电容正极与STC模块输出端之间串联有支路电流表;

各STC模块输出端连接后,连接有电压表;

负载串联有主干路电流表。

6.一种STC高效率拓扑均流电路实现方法,其特征在于,包括如下步骤:

S1.在每个STC模块的LC支路中设置变压器,并设置各变压器形成串联回路;

S2.充电开关单元控制外接电源向LC支路充电的同时,向输出电容和负载供电,变压器进行LC支路充电时的均流;

S3.放单开关单元控制充电后LC指令向输出电容和负载放电,变压器进行各LC支路放电时的均流。

7.如权利要求6所述的STC高效率拓扑均流电路实现方法,其特征在于,步骤S1具体步骤如下:

S11.在每个STC模块的LC支路中设置变压器;每个变压器采用等比变压器;

S12.将变压器一次侧串联在LC支路中,再将各变压器的二次侧串联,形成均流回路。

8.如权利要求6所述的STC高效率拓扑均流电路实现方法,其特征在于,步骤S2具体步骤如下:

S21.充电控制器控制第一MOS管和第二MOS管闭合的同时,放电控制器控制第三MOS管、第四MOS管以及第五MOS管断开;

S22.外接电源正极、第一MOS管、LC支路、第三MOS管、输出电容以及外接电源负极依次形成充电串联回路,向负载供电;

S23.通过各变压器实现各STC模块向LC支路充电时的均流。

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