[发明专利]一种STC高效率拓扑均流电路、实现方法及装置在审
申请号: | 202111082036.5 | 申请日: | 2021-09-15 |
公开(公告)号: | CN113746329A | 公开(公告)日: | 2021-12-03 |
发明(设计)人: | 李志平 | 申请(专利权)人: | 苏州浪潮智能科技有限公司 |
主分类号: | H02M3/07 | 分类号: | H02M3/07 |
代理公司: | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人: | 张营磊 |
地址: | 215100 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 stc 高效率 拓扑 流电 实现 方法 装置 | ||
1.一种STC高效率拓扑均流电路,其特征在于,包括负载和若干并联的STC模块;
各STC模块的输出端连接,并与负载第一端连接,负载第二端接地;
每个STC模块包括外接电源、LC支路、充电开关单元、放电开关单元和输出电容;
充电开关单元控制外接电源向LC支路充电的同时,向输出电容和负载供电;
放电开关单元控制LC支路向输出电容和负载放电;
充电开关单元与放电开关单元交替工作;
LC支路包括第一电容、电感和变压器;
第一电容、电感及变压器一次侧串联;
各STC模块的变压器二次侧形成串联回路,实现均流。
2.如权利要求1所述的STC高效率拓扑均流电路,其特征在于,STC模块中变压器采用等比变压器,变压器一次侧匝数与二次侧匝数相等。
3.如权利要求1所述的STC高效率拓扑均流电路,其特征在于,充电开关单元包括充电控制器、第一MOS管和第二MOS管;
充电控制器与第一MOS管的栅极及第二MOS管的栅极连接;
第一MOS管的漏极与外接电源正极连接,外接电源负极接地,第一MOS管的源极与LC支路的第一端连接;
第二MOS管的源极与LC支路的第二端连接,第二MOS管的漏极与输出电容正极及STC模块输出端及负载第一端连接,输出电容负极接地。
4.如权利要求3所述的STC高效率拓扑均流电路,其特征在于,放电开关单元包括放电控制器、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管以及第二电容;
放电控制器与第三MOS管的栅极、第四MOS管的栅极以及第五MOS管的栅极连接;
第三MOS管的漏极与LC支路的第一端连接,第三MOS管的源极与第二电容的正极连接;
第四MOS管的漏极与LC支路的第二端连接,第四MOS管的源极接地;
第五MOS管的源极与第二电容的负极连接,第五MOS管的漏极与输出电容正极及STC模块输出端及负载第一端连接。
5.如权利要求4所述的STC高效率拓扑均流电路,其特征在于,各STC模块的输出电容正极与STC模块输出端之间串联有支路电流表;
各STC模块输出端连接后,连接有电压表;
负载串联有主干路电流表。
6.一种STC高效率拓扑均流电路实现方法,其特征在于,包括如下步骤:
S1.在每个STC模块的LC支路中设置变压器,并设置各变压器形成串联回路;
S2.充电开关单元控制外接电源向LC支路充电的同时,向输出电容和负载供电,变压器进行LC支路充电时的均流;
S3.放单开关单元控制充电后LC指令向输出电容和负载放电,变压器进行各LC支路放电时的均流。
7.如权利要求6所述的STC高效率拓扑均流电路实现方法,其特征在于,步骤S1具体步骤如下:
S11.在每个STC模块的LC支路中设置变压器;每个变压器采用等比变压器;
S12.将变压器一次侧串联在LC支路中,再将各变压器的二次侧串联,形成均流回路。
8.如权利要求6所述的STC高效率拓扑均流电路实现方法,其特征在于,步骤S2具体步骤如下:
S21.充电控制器控制第一MOS管和第二MOS管闭合的同时,放电控制器控制第三MOS管、第四MOS管以及第五MOS管断开;
S22.外接电源正极、第一MOS管、LC支路、第三MOS管、输出电容以及外接电源负极依次形成充电串联回路,向负载供电;
S23.通过各变压器实现各STC模块向LC支路充电时的均流。
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