[发明专利]具有记忆功能的多值电容器

权利要求书

1.一种具有记忆功能的多值电容器，其特征在于，包括：第一电极、第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的功能层，所述功能层包括相变层、第一多值调控组件和第二多值调控组件，所述第一多值调控组件包括多个第三电极以及多个第一调控导体，所述第一调控导体与第三电极对应连接，所述第二多值调控组件包括多个第四电极以及多个第二调控导体，所述第二调控导体与第四电极对应连接，所述第一调控导体和第二调控导体呈交叉阵列分布，所述第一调控导体和第二调控导体之间构建有多个呈阵列分布的点位，每个所述点位对应于相变层上的一个特定区域，通过选择一个或多个所述点位对相变层上对应的一个或多个特定区域进行相变调控，对目标点位进行相变调控的方式是在构成目标点位的第一调控导件和第二调控导件对应的第三电极和第四电极上施加偏压，实现不同点位的热致相变或者电致相变，使得所述相变层部分面积的相变材料在晶体状态和非晶体状态之间转变，通过控制相变层发生相变区域面积的大小从而获得连续可调的相变层等效介电常数，最终实现多值电容器对电容值的记忆以及多个电容值的非易失连续可调。

2.如权利要求1所述的具有记忆功能的多值电容器，其特征在于，所述第一调控导体和第二调控导体均由碳纳米管制成，所述第一调控导体和第二调控导体相互接触设置。

3.如权利要求2所述的具有记忆功能的多值电容器，其特征在于，所述碳纳米管的宽度为100nm-10um，厚度为1nm-10nm。

4.如权利要求1所述的具有记忆功能的多值电容器，其特征在于，所述第一调控导体和第二调控导体均由石墨烯条制成，所述第一调控导体和第二调控导体分别位于相变层的上下表面。

5.如权利要求4所述的具有记忆功能的多值电容器，其特征在于，所述石墨烯条的宽度为100nm-10um，所述石墨烯条设置有1层-10层。

6.如权利要求1所述的具有记忆功能的多值电容器，其特征在于，所述相变层由硫系化合物制成。

7.如权利要求6所述的具有记忆功能的多值电容器，其特征在于，所述硫系化合物包括Ge₂Sb₂Te₂。

8.如权利要求1所述的具有记忆功能的多值电容器，其特征在于，所述相变层的厚度为10～1000nm。

9.如权利要求1所述的具有记忆功能的多值电容器，其特征在于，所述功能层与第一电极之间具有第一绝缘层，所述功能层与第二电极之间具有第二绝缘层。

10.如权利要求1所述的具有记忆功能的多值电容器，其特征在于，所述电容值个数与所述第一调控导体和所述第二调控导体构建的点位个数成正比。