[发明专利]一种用于单晶硅晶圆的激光辅助抛光方法在审
| 申请号： | 202111083488.5 | 申请日： | 2021-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN113967872A | 公开（公告）日： | 2022-01-25 |
| 发明（设计）人： | 管迎春;李欣欣;崔智铨 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | B24B37/00 | 分类号： | B24B37/00;B24B49/12;B08B3/08;B08B3/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 单晶硅 激光 辅助 抛光 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于单晶硅晶圆的激光辅助抛光方法，其特征在于包括以下步骤：
步骤(1)、提供经过机械研磨的单晶硅晶圆；
步骤(2)、利用超快激光加工设备对步骤(1)的单晶硅晶圆进行扫描；
步骤(3)、将经过激光处理的单晶硅晶圆放入无水乙醇中超声清洗并干燥；
步骤(4)、对晶圆进行化学机械抛光。
2.根据权利要求1所述的一种用于单晶硅晶圆的激光辅助抛光方法，其特征在于，步骤(2)中设定的激光参数为：激光波长为355nm-1070nm，激光脉宽为50fs-500ps，激光功率为5W-50W，激光脉冲频率为1kHz-1MHz。
3.根据权利要求1所述的一种用于单晶硅晶圆的激光辅助抛光方法，其特征在于，步骤(2)中利用振镜对晶圆进行激光扫描，扫描方式为垂直交叉扫描。
4.根据权利要求1所述的一种用于单晶硅晶圆的激光辅助抛光方法，其特征在于，步骤(2)中利用振镜扫描使激光在晶圆表面以一定速度扫射，扫描速度为100mm/s-3000mm/s，扫描间距为10μm-200μm，扫描次数为10-30次。
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