[发明专利]酞菁铜薄膜与聚酰亚胺复合封装的酞菁铜薄膜二极管在审

专利信息
申请号: 202111083925.3 申请日: 2021-09-15
公开(公告)号: CN113690200A 公开(公告)日: 2021-11-23
发明(设计)人: 王东兴;高小婷;冯高旭 申请(专利权)人: 哈尔滨理工大学
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L29/861;H01L21/56;H01L23/29
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 150080 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 酞菁铜 薄膜 聚酰亚胺 复合 封装 二极管
【权利要求书】:

1.一种酞菁铜薄膜与聚酰亚胺复合封装的酞菁铜薄膜二极管,其特征在于由玻璃衬底,金属Cu薄膜,酞菁铜有机层,金属Al薄膜和封装层组成。

2.根据权利要求1所述的酞菁铜薄膜与聚酰亚胺复合封装的酞菁铜薄膜二极管,其特征是:所述的封装层包括酞菁铜薄膜封装层和聚酰亚胺封装层,酞菁铜薄膜与聚酰亚胺形成复合封装。

3.一种酞菁铜薄膜与聚酰亚胺复合封装的酞菁铜薄膜二极管的制作方法,其特征是:在器件表面真空蒸镀一层酞菁铜薄膜,然后在器件存在的玻璃基板下方放置一个载玻片,在基板周围的载玻片上涂环氧树脂,最后覆盖一层与载玻片尺寸相同的聚酰亚胺薄膜,在紫外光下固化1小时。

4.根据权利要求3所述的酞菁铜薄膜与聚酰亚胺复合封装的酞菁铜薄膜二极管的制作方法,其特征是:所述的酞菁铜薄膜封装层的厚度为500nm,所述的聚酰亚胺封装层厚度为28μm。

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