[发明专利]存储装置的读取方法及非易失性存储器装置在审
申请号: | 202111085058.7 | 申请日: | 2021-09-16 |
公开(公告)号: | CN114496042A | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
发明(设计)人: | 朴世桓;金真怜;徐荣德;朴一汉 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C16/26 | 分类号: | G11C16/26;G11C16/08 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 方成;张川绪 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储 装置 读取 方法 非易失性存储器 | ||
1.一种存储装置的读取方法,存储装置包括至少一个非易失性存储器装置和被配置为控制所述至少一个非易失性存储器装置的控制器,所述读取方法包括:
由所述至少一个非易失性存储器装置响应于来自控制器的读取命令,执行第一片上谷搜索OVS操作;
由所述至少一个非易失性存储器装置响应于来自控制器的特定命令来将第一OVS操作的第一检测信息输出到控制器;
由控制器使用第一表利用与第一检测信息对应的第一偏移来更新第二表;以及
由所述至少一个非易失性存储器装置响应于来自控制器的重新发出的读取命令,使用第二表执行第二OVS操作,其中:
第一表包括根据每个状态的检测情况的第一偏移,以及
第二表包括每个状态的读取电平的第二偏移。
2.根据权利要求1所述的读取方法,其中,执行第一OVS操作的步骤包括:
当读取的数据是不可纠正的时,输入OVS恢复码;
确定是否执行历史读取操作;以及
当不执行历史读取操作时,执行OVS感测操作和正常读取操作。
3.根据权利要求2所述的读取方法,其中,执行第一OVS操作的步骤还包括:当执行历史读取操作时,执行OVS感测操作和历史读取操作。
4.根据权利要求1所述的读取方法,还包括:
由控制器接收在第一OVS操作中读取的数据;以及
由控制器确定读取的数据是否是不可纠正的,
其中,当读取的数据是不可纠正的时,执行第二OVS操作。
5.根据权利要求1所述的读取方法,还包括:由控制器确定在利用第一偏移更新第二表之后第一OVS操作是否通过。
6.根据权利要求5所述的读取方法,还包括:在第一OVS操作未通过时确定是否允许第二OVS操作。
7.根据权利要求6所述的读取方法,其中,确定是否允许第二OVS操作的步骤包括:确定OVS操作被执行的次数是否超过参考值。
8.根据权利要求6所述的读取方法,还包括:当不允许第二OVS操作时,由所述至少一个非易失性存储器装置执行片外谷搜索操作。
9.根据权利要求1所述的读取方法,其中,执行第一OVS操作的步骤和执行第二OVS操作的步骤中的每个包括:
确定根据OVS感测操作的检测情况是否是边缘情况;
当检测情况是边缘情况时,改变读取电平;以及
使用改变后的读取电平执行下一OVS感测操作。
10.根据权利要求1至9中的任一项所述的读取方法,还包括:
由所述至少一个非易失性存储器装置响应于特定命令来将第二OVS操作的第二检测信息输出到控制器;以及
由控制器使用第一表利用与第二检测信息对应的第二偏移来更新第二表。
11.一种存储装置的读取方法,存储装置包括至少一个非易失性存储器装置和被配置为控制所述至少一个非易失性存储器装置的控制器,所述读取方法包括:
根据读取请求确定执行历史读取操作还是正常读取操作;
执行历史读取操作或正常读取操作;
确定在历史读取操作或正常读取操作中读取的数据是否是不可纠正的;
当读取的数据是不可纠正的时,输入片上谷搜索OVS恢复码;
参考OVS恢复码中的读取电平执行第一OVS操作;
根据第一OVS操作确定第一检测情况;
确定第一OVS操作是否通过;
当第一OVS操作未通过时,确定是否允许第二OVS操作;
当允许第二OVS操作时,改变读取电平;
参考改变后的读取电平执行第二OVS操作;以及
当OVS恢复码通过时,利用与第一检测情况对应的偏移来更新历史读取表。
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