[发明专利]一种LED外延及其制造方法在审
| 申请号： | 202111085277.5 | 申请日： | 2021-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN113838954A | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 刘恒山;吴永胜;解向荣;马野;王孝智;江辉煌 | 申请（专利权）人： | 福建兆元光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/14;H01L33/22;H01L33/32;H01L33/00;H01L33/06 |
| 代理公司： | 福州市博深专利事务所(普通合伙) 35214 | 代理人： | 唐燕玲 |
| 地址： | 350109 福建省福州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 led 外延 及其 制造 方法 | ||
1.一种LED外延制造方法，其特征在于，包括步骤：
在图形化衬底上制备氮化物缓冲层；
基于所述氮化物缓冲层生成N型氮化镓层；
基于所述N型氮化镓交替生成电子阻挡层和量子阱层，得到最底层和最上层均为所述电子阻挡层的复合式量子阱层；
基于所述复合式量子阱层生成P型氮化镓层，得到LED外延。
2.根据权利要求1所述的一种LED外延制造方法，其特征在于，所述电子阻挡层的厚度沿着远离所述N型氮化镓的方向递增，所述量子阱层的厚度固定。
3.根据权利要求1所述的一种LED外延制造方法，其特征在于，所述电子阻挡层的厚度范围为1～20nm。
4.根据权利要求1所述的一种LED外延制造方法，其特征在于，所述电子阻挡层的材料为氮化铝，所述量子阱层的材料为氮化铟镓或者氮化镓。
5.根据权利要求1所述的一种LED外延制造方法，其特征在于，所述衬底的材料为蓝宝石或者硅或者碳化硅。
6.一种LED外延，其特征在于，包括图形化衬底、氮化物缓冲层、N型氮化镓层、复合式量子阱层和P型氮化镓层。
所述图形化衬底上方依次为氮化物缓冲层、N型氮化镓层、复合式量子阱层和P型氮化镓层；
所述复合式量子阱层包括电子阻挡层和量子阱层，所述电子阻挡层和所述量子阱层交替排列，所述复合式量子阱层的最底层和最上层均为所述电子阻挡层。
7.根据权利要求6所述的一种LED外延，其特征在于，所述电子阻挡层的厚度沿着远离所述N型氮化镓的方向递增，所述量子阱层的厚度固定。
8.根据权利要求6所述的一种LED外延，其特征在于，所述电子阻挡层的厚度范围为1～20nm。
9.根据权利要求6所述的一种LED外延，其特征在于，所述电子阻挡层的材料为氮化铝，所述量子阱层的材料为氮化铟镓或者氮化镓。
10.根据权利要求6所述的一种LED外延，其特征在于，所述衬底的材料为蓝宝石或者硅或者碳化硅。
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